結合量子ドット構造における電気伝導
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概要
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GaAs/AlGaAsヘテロ構造基板上に電子線ビーム描画装置を用いて数百nm程度の量子ドットの列を作成し, その電気伝導特性を測定した.特に, 各量子ドットのサイズの違いや, 量子ドットを直線状に配列した場合とジグザグ状に配列した場合との違いのように, 系の幾何学的形状が電気伝導特性に与える影響について調べた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-02-22
著者
-
森 伸也
大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
-
森 伸也
阪大院工
-
浜口 智尋
大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
石田 琢也
大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
小林 雅幸
大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
森 伸也
大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
森 伸也
大阪大学大学院工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構,CREST
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