ナノスケールMOSFETチャネル中の引力型イオンがデバイス電気特性に与える影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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非平衡グリーン関数法に基づく3次元デバイスシミュレータを用いて,無ドープのチャネル中に存在する単一の引力型イオン(ドナー)が多重ゲート型n-MOSFETの電気的特性に与える影響を調べた.チャネル中のドナーイオンはしきい値電圧の変動を引き起こし,その影響はドナーがチャネルポテンシャルの頂上部に存在する場合最も顕著となる.一方,オン電流には遮蔽効果の影響のため大きな変化が現れない.複数のデバイス構造を試した結果,ゲートオールアラウンド構造の方がダブルゲート構造よりもイオンによる特性変動に強いことが分かった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-11-06
著者
-
ミリニコフ ゲナディ
大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
-
森 伸也
大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
-
鎌倉 良成
大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
-
森 伸也
大阪大学 大学院工学研究科
-
江崎 達也
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
ミリニコフ ゲナディ
大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻:独立行政法人科学技術振興機構 Crest
-
鎌倉 良成
大阪大学大学院工学研究科
-
鎌倉 良成
大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻:独立行政法人科学技術振興機構 Crest
-
森 伸也
大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
森 伸也
大阪大学大学院工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構,CREST
-
ミリニコフ ゲナディ
大阪大学大学院工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構,CREST
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