Poly-Si TFTにおけるゲート酸化膜へのホットホール注入と捕獲/放出特性の評価 (シリコン材料・デバイス)
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概要
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- 電子情報通信学会の論文
- 2009-12-04
著者
-
谷口 研二
大阪大学大学院工学研究科
-
鎌倉 良成
大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
-
辻 博史
大阪大学大学院工学研究科
-
辻 博史
大阪大学大学院工学研究科:crest-jst
-
日昔 崇
大阪大学大学院工学研究科
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