辻 博史 | 大阪大学大学院工学研究科:crest-jst

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概要

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• 大阪大学大学院工学研究科:crest-jstの論文著者

関連著者

• 谷口 研二

  大阪大学大学院工学研究科

• 辻 博史

  大阪大学大学院工学研究科

• 辻 博史

  大阪大学大学院工学研究科:crest-jst

• 鎌倉 良成

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• 鎌倉 良成

  大阪大学大学院工学研究科

• 谷口 研二

  大阪大学大学院工学研究科高度人材育成センター:大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• 谷口 研二

  大阪大

• Taniguchi K

  Osaka Univ. Osaka Jpn

• Taniguchi K

  Department Of Electronics And Information Systems Osaka University

• Taniguchi K

  Division Of Electrical Electronics And Information Engineering Graduate School Of Engineering Osaka

• Taniguchi Kenji

  Division Of Electrical Electronic And Information Engineering Osaka University

• Taniguchi K

  Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Osaka University

• 日昔 崇

  大阪大学大学院工学研究科

• 谷口 研二

  大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻

• 桐原 正治

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• 葛岡 毅

  大阪大学大学院工学研究科

• 古橋 壮之

  大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻

• 舘 真透

  大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻

• 日昔 崇

  大阪大学大学院工学研究科:関西大学大学院工学研究科:(現)jvc・ケンウッド・ホールディングス(株)

• 太田 俊史

  大阪大学大学院工学研究科

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著作論文

• 表面ポテンシャルを用いた薄膜トランジスタのドレイン電流モデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• Poly-Si TFTにおける容量 : 電圧特性のシミュレーションによる解析(シリコン関連材料の作製と評価)
• Poly-Si TFTにおけるゲート酸化膜へのホットホール注入と捕獲/放出特性の評価 (シリコン材料・デバイス)
• 極低エネルギー注入ボロンの熱処理時におけるドーズロス現象
• Poly-Si TFTにおけるゲート酸化膜へのホットホール注入と捕獲/放出特性の評価(シリコン関連材料の作製と評価)
• poly-Si TFTのオーバーシュートドレイン電流の評価とモデリング(シリコン関連材料の作製と評価)

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