Taniguchi K | Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Osaka University
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概要
関連著者
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Taniguchi K
Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Osaka University
-
谷口 研二
大阪大
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Taniguchi K
Osaka Univ. Osaka Jpn
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Taniguchi K
Department Of Electronics And Information Systems Osaka University
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谷口 研二
大阪大学大学院工学研究科
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谷口 研二
大阪大学大学院工学研究科高度人材育成センター:大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
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Taniguchi K
Division Of Electrical Electronics And Information Engineering Graduate School Of Engineering Osaka
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Taniguchi Kenji
Division Of Electrical Electronic And Information Engineering Osaka University
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谷口 研二
大阪大学
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鎌倉 良成
大阪大学大学院工学研究科
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井戸 徹
大阪大学
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TANIGUCHI Kenji
Department of Cancer Research, Fuji Gotemba Research Laboratories, Chugai and Pharmaceutical Co
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Hamaguchi C
Osaka Univ. Osaka Jpn
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Hamaguchi Chihiro
Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Osaka University
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Hamaguchi Chihiro
Deparimsnt Of Elecironics Facully Of Engineering Osaka University
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Taniguchi Kenji
Department Of Biotechnology Tottori University
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鎌倉 良成
大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
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安田 直彦
岐阜大工
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Yasuda Naoki
Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Osaka University
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谷口 研二
大阪大学工学部
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辻 博史
大阪大学大学院工学研究科
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辻 博史
大阪大学大学院工学研究科:crest-jst
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大倉 鉄郎
大阪大学大学院工学研究科
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Quazi Deen
Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Osaka University
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兼本 大輔
大阪大学
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大倉 鉄郎
大阪大学
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林 岳
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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林 岳
(株)ルネサステクノロジ
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内田 哲也
(株)ルネサステクノロジ
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NAKAMURA Hiroshi
Department of Analytical Chemistry, Faculty of Pharmaceutical Sciences, Science University of Tokyo
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鎌倉 良成
大阪大学工学部
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土屋 修
ルネサステクノロジ
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大泊 巌
早稲田大学理工学部
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ
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小野田 隆英
大阪大学
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桐原 正治
大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
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佃 栄次
ルネサステクノロジ株式会社
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高篠 裕行
ルネサステクノロジ株式会社
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岡垣 健
ルネサステクノロジ株式会社
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内田 哲也
ルネサステクノロジ株式会社
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林 岳
ルネサステクノロジ株式会社
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谷沢 元昭
ルネサステクノロジ株式会社
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永久 克己
ルネサステクノロジ株式会社
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若原 祥史
ルネサステクノロジ株式会社
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石川 清志
ルネサステクノロジ株式会社
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井上 靖朗
ルネサステクノロジ株式会社
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照沼 知英
早稲田大学工学部
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渡邉 孝信
早稲田大学工学部
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品田 賢宏
早稲田大学工学部
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石川 清志
株式会社ルネサステクノロジ
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岡垣 健
(株)ルネサステクノロジ
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谷沢 元昭
(株)ルネサステクノロジ
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高篠 裕行
(株)ルネサステクノロジ
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佃 栄次
(株)ルネサステクノロジ
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永久 克巳
(株)ルネサステクノロジ
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若原 祥史
(株)ルネサステクノロジ
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渡邉 孝信
早稲田大学理工学術院
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土屋 修
株式会社ルネサステクノロジ
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大泊 巌
早大理工
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大泊 巌
早稲田大学理工学術院
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Ohdomari Iwao
School Of Science And Engineering Waseda University:kagami-memorial Laboratory For Materials Science
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Ohdomari Iwao
School Of Science And Engineering Waseda University:kagami Memorial Laboratory For Materials Science
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永久 克己
株式会社ルネサステクノロジ
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石川 清志
ルネサステクノロジ
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TANIMOTO Hiroyoshi
Department of Electronics, Faculty of Engineering, Osaka University
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Tanimoto Hiroyoshi
Department Of Electronics Faculty Of Engineering Osaka University
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大泊 巌
Faculty Of Science And Engineering Waseda University
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大泊 巌
早大
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今井 快多
大阪大学
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大泊 巌
早稲田大学
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大泊 巌
早大・理工
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品田 賢宏
早稲田大学
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Nakamura Hiroshi
Department Of Analytical Chemistry Faculty Of Pharmaceutical Sciences Science University Of Tokyo
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渡邉 孝信
早稲田大学 理工学術院
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森 伸也
大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
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新谷 悟
アナログ デバイセズ
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森 伸也
大阪大学 大学院工学研究科
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押方 理晃
大阪大学
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小田 浩太郎
大阪大学
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池田 智
大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
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葛岡 毅
大阪大学大学院工学研究科
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池田 智
大阪大学
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兼本 大輔
大阪大学大学院工学研究科
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大倉 俊介
大阪大学工学研究科
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伊藤 良明
日本テキサス・インスツルメンツ
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井戸 徹
大阪大学大学院工学研究科
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大山 聡一朗
日本テキサス・インスツルメンツ
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有吉 勝彦
日本テキサス・インスツルメンツ
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新谷 悟
日本テキサス・インスツルメンツ
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大倉 俊介
Division Of Electrical Electronic And Information Engineering Osaka University
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日昔 崇
大阪大学大学院工学研究科
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UENO Shuichi
Department of Communication and Integrated Systems, Tokyo Institute of Technology
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Toriumi Akira
Ulsi Research Laboratories Toshiba Corporation
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Toriumi Akira
Ulsi Research Center Toshiba Corporation
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大倉 鉄郎
大阪大学工学研究科
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BOGODA A.
大阪大学工学研究科
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Bogoda A.
大阪大学
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Hamamoto K
Univ. Tokyo Tokyo Jpn
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堀場 洋輔
関西大学
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池村 充史
大阪大学
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YAMAGUCHI Yasuo
LSI Research and Development Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation
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NISHIMURA Tadashi
LSI Research and Development Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation
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Yamaguchi Y
Inst. Fundamental Chemistry Kyoto Jpn
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HASHIMOTO Kazuhiko
Semiconductor Device Engineering Laboratory, Toshiba Corporation
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QUAZI Deem
Department of Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Osaka University
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TOYOSHIMA Yoshiaki
Semiconductor Device Engineering Laboratory, Toshiba Corporation
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MARUYAMA Akinori
Department of Electronic Engineering, Osaka University
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KAKUMU Masakazu
Semiconductor Device Engineering Laboratory, Toshiba Corporation
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LASSERRE Jean
Department of Electronics, Faculty of Engineering, Osaka University
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Lasserre Jean
Department Of Electronics Faculty Of Engineering Osaka University
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Kakumu Masakazu
Semiconductor Device Engineering Laboratory Toshiba Corporation
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Maruyama Akinori
Department Of Electronic Engineering Osaka University
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Nishimura Tadashi
Lsi Research & Development Laboratory Mitsubishi Electric Corporation
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Toyoshima Yasutake
Electrotechnical Labotatory
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Toyoshima Yoshiaki
Semiconductor Device Engineering Laboratory Toshiba Corporation
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Yamaguchi Yasuo
Lsi Research And Development Laboratory Mitsubishi Electric Corporation
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Maruyama Akinori
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Doshisha University
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兼本 大輔
九州大学大学院システム情報科学府
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Ueno Shuichi
Department Of Communication And Integrated Systems Tokyo Institute Of Technology
-
兼本 大輔
九州大学
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磯部 直己
大阪大学
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國方 直也
大阪大学
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日昔 崇
大阪大学大学院工学研究科:関西大学大学院工学研究科:(現)jvc・ケンウッド・ホールディングス(株)
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Hashimoto Kazuhiko
Semiconductor Device Engineering Laboratory Toshiba Corporation
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Ueno Shuichi
Department Of Biological Science Faculty Of Science Yamaguchi University
-
Ueno Shuichi
Department Of Electronic Engineering Osaka University
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磯部 直己
大阪大学大学院工学研究科
-
森 伸也
大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
森 伸也
大阪大学大学院工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構,CREST
著作論文
- TDCを用いたオーディオ用ADコンバータの設計検討
- 自己発熱効果がナノスケールトランジスタの電気特性に与える影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 非線形パルス幅変調を用いたTDC-ADCの構成と歪み補正手法の提案
- 二重フィードバックを用いスピーカインピーダンスの影響を低減したオーディオ用D級アンプの設計/評価
- 表面ポテンシャルを用いた薄膜トランジスタのドレイン電流モデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ひずみSi-p型電界効果トランジスタのホール伝導特性に関する理論計算
- C-9-3 SoG液晶モジュール用アナログバッファ回路に関する研究(C-9. 電子ディスプレイ,一般セッション)
- Poly-Si TFTにおける容量 : 電圧特性のシミュレーションによる解析(シリコン関連材料の作製と評価)
- 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 周期的な不純物原子配列を有する半導体の電気伝導シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ダイナミックラッチを用いたパイプラインAD変換器用低消費電力コンパレータの一設計
- 周期的な不純物原子配列を有する半導体の電気伝導シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- Column-Parallel ADC に用いる高精度, 小面積 D-Flip-Flop 回路
- 1.5bit量子化器を用いた Active-Passive 積分器による2次CT-DSMの構成法
- Poly-Si TFTにおけるゲート酸化膜へのホットホール注入と捕獲/放出特性の評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- Hole Trapping and Detrappirug Characteristics Investigated by Substrate Hot-Hole Injection into Oxide of Metal-Oxide-Semiconduetor Structure
- Hot-Hole-Induced Interface State Generation in p-Channel MOSFETs with Thin Gate Oxide
- Evaluation of Spatial Distribution of Hole Traps Using Depleted Gate MOSFETs
- Analytical Device Model of SOI MOSFETs Including Self-Heating Effect
- Spatial Distribution of Trapped Holes in the Oxide of Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors after Uniform Hot-Hole Injection
- Existence of Double-Charged Oxide Traps in Submicron MOSFET's (SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS 1)
- Interface State Generation Mechanism in MOSFET's during Substrate Hot-Electron Injection : Special Section : Solid State Devices and Materials 2 : Silicon Devices and Process Technologies
- Hot Electron Drift Velocity in AlGaAs/GaAs Heterojunctions : Electrical Properties of Condensed Matter
- Monte Carlo Study of Hot Electron Transport in Quantum Wells : Electrical Properties of Condensed Matter
- チャネル構成の変更可能なオーディオ用D級アンプの設計検討
- パイプライン方式逐次比較型A/Dコンバータにおける消費電力最適化の一手法
- 時間量子化方式ADコンバータにおけるディザの最適化
- 逐次比較型ADコンバータのマルチビット化の一手法