若原 祥史 | (株)ルネサステクノロジ
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概要
関連著者
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若原 祥史
(株)ルネサステクノロジ
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林 岳
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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林 岳
(株)ルネサステクノロジ
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内田 哲也
(株)ルネサステクノロジ
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ
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谷沢 元昭
ルネサステクノロジ株式会社
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石川 清志
株式会社ルネサステクノロジ
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岡垣 健
(株)ルネサステクノロジ
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谷沢 元昭
(株)ルネサステクノロジ
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高篠 裕行
(株)ルネサステクノロジ
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佃 栄次
(株)ルネサステクノロジ
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永久 克巳
(株)ルネサステクノロジ
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土屋 修
株式会社ルネサステクノロジ
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永久 克己
株式会社ルネサステクノロジ
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石川 清志
ルネサステクノロジ
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大倉 康幸
(株)半導体先端テクノロジーズ
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西 謙二
近畿大学工業高等専門学校
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鎌倉 良成
大阪大学工学部
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谷口 研二
大阪大学工学部
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土屋 修
ルネサステクノロジ
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土屋 修
(株)ルネサステクノロジ
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天川 博隆
(株)半導体先端テクノロジーズ
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佃 栄次
ルネサステクノロジ株式会社
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高篠 裕行
ルネサステクノロジ株式会社
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岡垣 健
ルネサステクノロジ株式会社
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内田 哲也
ルネサステクノロジ株式会社
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林 岳
ルネサステクノロジ株式会社
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永久 克己
ルネサステクノロジ株式会社
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若原 祥史
ルネサステクノロジ株式会社
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石川 清志
ルネサステクノロジ株式会社
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井上 靖朗
ルネサステクノロジ株式会社
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鎌倉 良成
大阪大学大学院工学研究科
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西 謙二
(株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部
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西 謙二
近畿大学高等専門学校総合システム工学科電気電子系:(現)筑波大学大学院
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石川 清志
(株)ルネサステクノロジ
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谷口 研二
大阪大
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Taniguchi K
Osaka Univ. Osaka Jpn
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Taniguchi K
Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Osaka University
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若原 祥史
(株)半導体先端テクノロジーズ
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Taniguchi K
Department Of Electronics And Information Systems Osaka University
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谷口 研二
大阪大学大学院工学研究科
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池田 隆英
日立デバイス開発センタ
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谷口 研二
大阪大学大学院工学研究科高度人材育成センター:大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
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大倉 康幸
(株)日立製作所中央研究所
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樋口 久幸
前橋工科大学
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池田 隆英
前橋工科大学情報工学科
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若原 祥史
前橋工科大学情報工学科
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Taniguchi K
Division Of Electrical Electronics And Information Engineering Graduate School Of Engineering Osaka
-
Taniguchi Kenji
Division Of Electrical Electronic And Information Engineering Osaka University
著作論文
- 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 微細MOSトランジスタの逆狭チャネル効果の解析 : 高誘電体ゲート絶縁膜の影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 微細MOSトランジスタの逆狭チャネル効果の解析 : 高誘電体ゲート絶縁膜の影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 部分空乏型SOI MOSFETのターンオフ電流の3次元シミュレーション