林 岳 | (株)ルネサステクノロジ
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概要
関連著者
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林 岳
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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林 岳
(株)ルネサステクノロジ
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米田 昌弘
(株)ルネサステクノロジ
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由上 二郎
(株)ルネサステクノロジ
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由上 二郎
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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由上 二郎
ルネサス テクノロジ
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志賀 克哉
(株)ルネサステクノロジ
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由上 二郎
(株)日立製作所 中央研究所
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志賀 克哉
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
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水谷 斉治
(株)ルネサステクノロジ
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井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ
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内田 哲也
(株)ルネサステクノロジ
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ
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谷沢 元昭
ルネサステクノロジ株式会社
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石川 清志
株式会社ルネサステクノロジ
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辻川 真平
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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辻川 真平
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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岡垣 健
(株)ルネサステクノロジ
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谷沢 元昭
(株)ルネサステクノロジ
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高篠 裕行
(株)ルネサステクノロジ
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佃 栄次
(株)ルネサステクノロジ
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永久 克巳
(株)ルネサステクノロジ
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若原 祥史
(株)ルネサステクノロジ
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土屋 修
株式会社ルネサステクノロジ
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永久 克己
株式会社ルネサステクノロジ
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石川 清志
ルネサステクノロジ
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嶋本 泰洋
(株)日立製作所中央研究所
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大野 吉和
(株)ルネサステクノロジ
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山下 朋弘
(株)ルネサステクノロジ
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吉村 秀文
(株)ルネサステクノロジ
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梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
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土本 淳一
(株)ルネサステクノロジ
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西出 征男
三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター
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土本 淳一
ルネサス テクノロジ
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西田 征男
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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土本 淳一
(株)ルネサステクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部、プロセス開発部
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土本 淳一
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ
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鎌倉 良成
大阪大学工学部
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谷口 研二
大阪大学工学部
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土屋 修
ルネサステクノロジ
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土屋 修
(株)ルネサステクノロジ
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梅田 浩司
ULSI技術開発センター
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川崎 洋司
(株)ルネサステクノロジ
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栄森 貴尚
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)ルネサステクノロジ
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河瀬 和雅
三菱電機(株)先端総研
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藤田 文子
(株)ルネサステクノロジ
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佃 栄次
ルネサステクノロジ株式会社
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高篠 裕行
ルネサステクノロジ株式会社
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岡垣 健
ルネサステクノロジ株式会社
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内田 哲也
ルネサステクノロジ株式会社
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林 岳
ルネサステクノロジ株式会社
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永久 克己
ルネサステクノロジ株式会社
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若原 祥史
ルネサステクノロジ株式会社
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石川 清志
ルネサステクノロジ株式会社
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井上 靖朗
ルネサステクノロジ株式会社
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尾田 秀一
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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大路 譲
株式会社日立製作所半導体事業部
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鎌倉 良成
大阪大学大学院工学研究科
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栄森 貴尚
(株)ルネサステクノロジ
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大西 和博
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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坂下 真介
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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川原 孝昭
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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川原 孝昭
(株)ルネサステクノロジ
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石川 清志
(株)ルネサステクノロジ
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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谷口 研二
大阪大
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Taniguchi K
Osaka Univ. Osaka Jpn
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Taniguchi K
Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Osaka University
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大路 譲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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Taniguchi K
Department Of Electronics And Information Systems Osaka University
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谷口 研二
大阪大学大学院工学研究科
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黒井 隆
(株)ルネサステクノロジ
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山下 朋弘
株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
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林 岳
株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
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西田 征男
株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
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川崎 洋司
株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
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黒井 隆
株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
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尾田 秀一
株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
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栄森 貴尚
株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
-
大路 譲
株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
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谷口 研二
大阪大学大学院工学研究科高度人材育成センター:大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
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野村 幸司
(株)ルネサスセミコンダクタエンジニアリング
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大路 譲
(株)ルネサステクノロジ
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藤原 啓司
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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東 雅彦
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
-
武島 豊
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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山成 真市
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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森 健壱
(株)ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
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森 健壹
株式会社ルネサステクノロジ
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西田 征男
株式会社ルネサステクノロジ:広島大学大学院先端物質科学研究科
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Taniguchi K
Division Of Electrical Electronics And Information Engineering Graduate School Of Engineering Osaka
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尾田 秀一
株式会社ルネサステクノロジ
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Taniguchi Kenji
Division Of Electrical Electronic And Information Engineering Osaka University
著作論文
- ボロンガスクラスターイオンビームドーピングによるPMOSFETのエクステンション形成(半導体Si及び関連材料・評価)
- フェルミピニングによるpoly-Si電極の仕事関数制御と低電力用CMOSFET特性の向上(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト : SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 高い駆動能力を有する高信頼HfSiONゲート絶縁膜の作製
- Dual-core-SiON技術を活用したhp65-SoC LOP向けOI-SiNゲート絶縁膜(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- Dual-core-SiON 技術を活用したhp65-SoC LOP向けOI-SiNゲート絶縁膜
- HfSiON絶縁膜を用いたメタルゲートCMOSプロセスの検討
- CMOS用極薄SiONゲート絶縁膜のn/p独立チューニング(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- フルシリサイドゲートトランジスタ閾値のゲート長依存性(半導体Si及び関連材料・評価)
- チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト : SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)