大野 吉和 | (株)ルネサステクノロジ
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概要
関連著者
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大野 吉和
(株)ルネサステクノロジ
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井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ
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大野 吉和
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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梅田 浩司
ULSI技術開発センター
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井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
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土本 淳一
(株)ルネサステクノロジ
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土本 淳一
ルネサス テクノロジ
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寺本 章伸
三菱電機(株)
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梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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土本 淳一
(株)ルネサステクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部、プロセス開発部
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土本 淳一
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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米田 昌弘
(株)ルネサステクノロジ
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由上 二郎
(株)ルネサステクノロジ
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由上 二郎
(株)日立製作所 中央研究所
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由上 二郎
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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由上 二郎
ルネサス テクノロジ
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大野 吉和
三菱電機 ULSI開発研究所
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水谷 斉治
(株)ルネサステクノロジ
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井上 真雄
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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梅田 浩司
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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林 岳
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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林 岳
(株)ルネサステクノロジ
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志賀 克哉
(株)ルネサステクノロジ
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志賀 克哉
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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三好 寛和
三菱電機(株) Ulsi開発研究所
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三好 寛和
三菱電機 Ulsi技術開発センター
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嶋本 泰洋
(株)日立製作所中央研究所
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藤田 文子
(株)ルネサステクノロジ
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野村 幸司
(株)ルネサスセミコンダクタエンジニアリング
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重富 晃
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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三好 寛和
三菱電機(株)
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小林 淳二
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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川崎 洋司
(株)ルネサステクノロジ
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丸山 祥輝
(株)ルネサステクノロジ
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山下 朋弘
(株)ルネサステクノロジ
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河瀬 和雅
三菱電機(株)先端総研
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梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
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辻川 真平
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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川原 孝昭
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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川原 孝昭
(株)ルネサステクノロジ
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辻川 真平
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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丸山 祥輝
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
-
高橋 貫治
菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング(株)
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堀江 靖彦
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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金岡 竜範
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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原 英司
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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西本 章
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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小林 淳二
三菱電機(株)
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梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ
著作論文
- poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト : SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- HfSiON high-kゲート形成プロセスによるBTストレス中のV_安定性改善(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 低リーク、高移動度HfSiONゲートを実現する界面制御技術(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- N_2プラズマを用いたSi基板直接窒化SiNゲート絶縁膜の作製
- N_2プラズマを用いたSi基板直接窒化SiNゲート絶縁膜の作製(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- CMOS用極薄SiONゲート絶縁膜のn/p独立チューニング(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト : SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- ラジカル窒化によるゲート絶縁膜形成プロセスの検討
- ゲート酸化膜の電気的特性に対する有機物汚染の影響
- ゲート酸化膜の破壊メカニズム
- ゲート酸化膜寿命の電界依存性
- RTA装置で形成したゲート絶縁膜の電気特性
- RTA装置で形成したゲート絶縁膜の電気特性
- UV-O_2酸化を用いた低温ゲート酸化膜形成
- UV-O_2酸化を用いた低温ゲート酸化膜形成