三好 寛和 | 三菱電機(株)

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• 三好 寛和

  三菱電機(株) Ulsi開発研究所

• 三好 寛和

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• 榊原 清彦

  三菱電機(株)LSI研究所

• 味香 夏夫

  (株)GENUSION

• 味香 夏夫

  三菱電機(株)

• 味香 夏夫

  三菱電機株式会社ULSI開発研究所

• 榊原 清彦

  三菱電機

• 榊原 清彦

  三菱電機(株)

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• 大野 吉和

  (株)ルネサステクノロジ

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  三菱電機(株)

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  三菱電機(株)

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  三菱電機(株)ULSI開発研究所

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  三菱電機(株)ULSI開発研究所

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  三菱電機(株)ULSI開発研究所

• 山口 泰男

  三菱電機(株)ulsi技術開発センター

• 山口 泰男

  株式会社ルネサステクノロジ

• 宮本 昭一

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  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 岩松 俊明

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 井上 靖朗

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 井上 靖朗

  (株)ルネサステクノロジ

• 園田 賢一郎

  株式会社ルネサステクノロジ

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  三菱電機(株)

• 谷沢 元昭

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  (株)ルネサステクノロジ

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  (株)ルネサステクノロジ

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  三菱電機(株)ULSI開発研究所

• 岩松 俊明

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• 小谷 教彦

  広島国際大学社会環境科学部

• 小谷 教彦

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• 永久 克己

  株式会社ルネサステクノロジ

• 石川 清志

  ルネサステクノロジ

• 石川 清志

  三菱電機(株)ulsi技術開発センター

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著作論文

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• 中性 trap 生成の解析に基づいた新しいゲート酸化膜破壊モデルの提案
• 電流ストレスによりSi熱酸化膜界面近傍に生成された中性trap密度の評価手法の提案
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• デバイス/回路シミュレータの結合
• UV-O_2酸化を用いた低温ゲート酸化膜形成
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