一法師 隆志 | (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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概要
関連著者
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一法師 隆志
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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前川 繁登
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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前川 繁登
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Ulsi開発センター
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三菱電機(株)
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三菱電機(株)
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一法師 隆志
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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新居 浩二
ルネサステクノロジー
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大路 譲
株式会社日立製作所半導体事業部
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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大路 譲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ
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野田 英行
(株)ルネサステクノロジシステムソリューション統括本部システムコア技術統括部
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有本 和民
(株)ルネサステクノロジシステムソリューション統括本部システムコア技術統括部
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西村 正
三菱電機 (株) Ulsi技術開発センター
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西村 正
三菱電機株式会社ulsi技術開発センター
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前川 繁登
三菱電機株式会社LSI研究所
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前田 茂伸
三菱電機(株)
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西村 正
三菱電機(株)
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井上 靖朗
三菱電機(株)
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森下 玄
三菱電機ULSI開発研究所
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西村 正
三菱電機ULSI開発研究所
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益子 耕一郎
三菱電機株式会社システムlsi事業化推進センター
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上田 公大
三菱電機株式会社
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行天 隆幸
(株)ルネサステクノロジシステムソリューション統括本部
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森下 玄
(株)ルネサステクノロジシステムコア技術統括部
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大路 譲
(株)ルネサステクノロジ
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堂阪 勝己
(株)ルネサステクノロジ
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岡本 真子
大王電機(株)
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西村 正
三菱電機 Ulsi開セ
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行天 隆幸
株式会社ルネサステクノロジシステムソリューション統括本部
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西村 正
三菱電機株式会社 Lsi 研究所
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和田 佳樹
三菱電機(株)システムLSI開発研究所
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有本 和民
(株)ルネサステクノロジ システムソリューション統括本部 システムコア技術統括部
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野田 英行
(株)ルネサステクノロジ システムソリューション統括本部 システムコア技術統括部
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上田 公大
三菱電機(株) システムLSI研究所
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新居 浩二
三菱電機(株)
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和田 佳樹
三菱電機(株)
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三菱電機(株)
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益子 耕一郎
三菱電機(株)
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三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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犬石 昌秀
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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宮本 昭一
三菱電機(株) Ulsi開発研究所
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ULSI開発研究所
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岩松 俊明
ULSI開発研究所
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一法師 隆志
ULSI開発研究所
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前川 繁登
ULSI開発研究所
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大路 譲
株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
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三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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尾田 秀一
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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山岡 雅直
日立製作所・中央研究所
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秋山 悟
日立製作所・中央研究所
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石井 智之
日立
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渡部 隆夫
日立中央研究所
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堂坂 勝己
(株)ルネサステクノロジシステムコア技術統括部
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石井 智之
(株)日立製作所中央研究所
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峰 利之
(株)日立製作所中央研究所
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須藤 充
三菱マテリアルシリコン株式会社技術本部
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柳沢 一正
(株)ルネサステクノロジ
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益子 洋治
大分大学工学部
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成岡 英樹
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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服部 信美
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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土屋 龍太
日立製作所中央研究所
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木村 紳一郎
日立製作所中央研究所
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塚本 康正
株式会社ルネサステクノロジ
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秋山 悟
(株)日立製作所中央研究所
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亀代 典史
(株)日立製作所中央研究所
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渡部 隆夫
(株)日立製作所中央研究所
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伊部 英史
(株)日立製作所中央研究所
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(株)ルネサステクノロジ
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山岡 雅直
(株)日立製作所 中央研究所
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平野 有一
株式会社ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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一法師 隆志
株式会社ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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前川 繁登
株式会社ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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土屋 龍太
(株)日立製作所中央研究所
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塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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犬石 昌秀
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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栗山 祐忠
三菱電機株式会社 知的財産権センター
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渡部 隆夫
日立製作所中央研究所 ソリューションlsi研究センタulsi研究部
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堂阪 勝己
(株)ルネサステクノロジ システムコア技術統括部
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山岡 雅直
日立製作所中央研究所
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山岡 雅直
(株)日立製作所中央研究所
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石井 智之
日立製作所中央研究所
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石井 智之
神奈川工科大学情報学部
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峰 利之
日立製作所中央研究所
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渡部 隆夫
(株)日立製作所 中央研究所
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中井 哲弥
三菱マテリアルシリコン株式会社技術本部
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栗山 祐忠
三菱電機株式会社 知的財産センター
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渡部 隆夫
(株)日立製作所
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石田 芳也
北見赤十字病院耳鼻咽喉科・頭頸部外科
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金井 直樹
北見赤十字病院耳鼻咽喉科・頭頸部外科
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杉井 信之
(株)日立製作所中央研究所
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川島 光
三菱電機(株)ULSI研究所LSIプロセス開発第4部
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三好 寛和
三菱電機(株) Ulsi開発研究所
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平野 有-
三菱電機(株)
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金 逸中
三菱電機(株)
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新井 浩二
三菱電機(株)
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佐山 弘和
三菱電機(株)ULSI開発研究所
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山口 泰男
三菱電機ULSI開発研究所
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山口 泰男
三菱電機株式会社 LSI 研究所
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和田 佳樹
三菱電機株式会社システムLSI事業化推進センター
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小柴 浩史
三菱電機株式会社システムLSI事業化推進センター
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平野 有一
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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上田 公大
三菱電機株式会社システムLSI事業化推進センター
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川島 光
株式会社ルネサステクノロジ
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佐山 弘和
三菱電機ulsi技術開発センター
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太田 和伸
ソニー株式会社
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太田 和伸
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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永久 克巳
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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山本 和也
三菱電機システムLSI事業統括センター
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加藤 隆幸
三菱電機高周波光素子事業統括部
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尾田 秀一
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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伊藤 清男
(株)日立製作所中央研究所
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伊藤 清男
株式会社日立製作所中央研究所
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河原 尊之
(株)日立製作所中央研究所
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松岡 秀行
(株)日立製作所基礎研究所
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森田 祐介
日立製作所中央研究所
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牧 幸生
ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部
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石垣 隆士
(株)日立製作所中央研究所
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小紫 浩史
システムlsi事業化推進センター:三菱電機株式会社
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永久 克巳
(株)ルネサステクノロジ
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森田 祐介
(株)日立製作所中央研究所
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土屋 龍太
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
一法師 隆志
三菱電機ULSI技術開発センター
-
前川 繁登
三菱電機ULSI技術開発センター
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加藤 隆幸
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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辻内 幹夫
(株)ルネサステクノロジ
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池田 龍彦
(株)ルネサステクノロジ
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小松 大士
(株)ルネサスセミコンダクタエンジニアリング
-
牧 幸生
(株)ルネサステクノロジ
-
堀内 勝忠
(株)日立製作所中央研究所
-
永久 克己
株式会社ルネサステクノロジ
-
新井 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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加藤 隆幸
三菱電機
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松岡 秀行
日立製作所基礎研究所
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牧 幸生
ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
佐山 弘和
三菱電機(株)
-
三好 寛和
三菱電機(株)
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杉井 信之
(株)日立製作所 中央研究所
-
松岡 秀行
(株)日立製作所中央研究所
著作論文
- ロジックプロセス互換型SESOメモリセルによる低ソフトエラー(0.1FIT/Mb)、高速動作(100MHz)、長リテンション(100ms)の実現(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- パーシャルトレンチ分離構造を用いたバルクレイアウト互換0.18μm SOI CMOS技術
- フィールドシールド分離SOI MOSFETにおける放射線耐性の解析
- フィールドシールドアイソレーション技術を用いた0.35μm大規模SOIゲートアレー
- 水素化処理によるSOI寄生MOSFETの低しきい値電圧化の抑制
- 高抵抗基板とハイブリッドトレンチ分離を用いた0.18μmSOI技術のRF/アナログ混載への応用について
- 部分空乏型トランジスタを用いたCADライブラリ共有型SOI/CMOSゲートアレイ
- デュアルオフセット構造を有する135GHzf_SOI MOSFETの高周波アナログ混載技術
- SOIウェーハの表面欠陥評価とそのデバイス特性への影響
- ボディ電位制御技術を用いた低電圧・高速動作ABC-SOI SRAM
- ボディ電位制御技術を用いた低電圧・高速動作ABC-SOI SRAM(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- インバータ速度制御、低Vthバラツキを可能にする薄膜BOX-SOIデュアル・バックバイアス制御技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 部分空乏型トランジスタを用いたCADライブラリ共有型SOI/CMOSゲートアレイ
- 部分空乏型SOIデバイス
- SOI MOS トラジスタの問題点と高性能化
- 三次元デバイスシミュレーションを用いたSOI MOSFETにおける寄生MOSFETの解析
- ロジックプロセス互換型SESOメモリセルによる低ソフトエラー(0.1FIT/Mb)、高速動作(100MHz)、長リテンション(100ms)の実現(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- ハイブリッドトレンチ分離SOIデバイスにおけるボディ電位制御技術(半導体Si及び関連材料・評価)
- SOIを用いたキャパシタレス・ツイントランジスタRAM(TTRAM)(プロセッサ, DSP, 画像処理技術及び一般)
- SOIを用いたキャパシタレス・ツイントランジスタRAM (TTRAM)(プロセッサ, DSP, 画像処理技術及び一般)
- SOIを用いたキャパシタレス・ツイントランジスタRAM (TTRAM)(プロセッサ, DSP, 画像処理技術及び一般)
- SOIを用いたキャパシタレス・ツイントランジスタRAM (TTRAM)(プロセッサ, DSP, 画像処理技術及び一般)
- Wide-rangeバックバイアス制御を可能にする低電力・高性能Silicon on Thin BOXデバイス技術(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 閾値電圧制御を用いた低電圧SOICMOSデバイス技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 閾値電圧制御を用いた低電圧SOICMOSデバイス技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 高速・高周波動作SOIデバイス技術 (特集 IT社会に貢献する半導体)
- A-7-12 多結晶シリコン薄膜トランジスタの特性バラツキを利用した人工指紋デバイスの提案
- 人工指紋デバイス : ロジックLSI互換プロセスで作成した多結晶シリコンTFTによるセキュリティーの作りこみ
- SOIウェーハの表面欠陥評価とそのデバイス特性への影響
- RFアナログ/超高速ディジタル混載用高性能SOIトランジスタ技術 (特集 半導体プロセス技術のイノベーション)
- フィールドシールド分離によるSOI/CMOSデバイス技術