新居 浩二 | 株式会社ルネサステクノロジ
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概要
関連著者
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新居 浩二
株式会社ルネサステクノロジ
-
新居 浩二
ルネサステクノロジー
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塚本 康正
株式会社ルネサステクノロジ
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塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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新居 浩二
ルネサステクノロジ
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新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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今岡 進
株式会社ルネサスデザイン
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牧野 博之
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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牧野 博之
ルネサステクノロジ
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薮内 誠
株式会社ルネサステクノロジ
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大林 茂樹
株式会社ルネサステクノロジ
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篠原 尋史
株式会社ルネサステクノロジ
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篠原 尋史
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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篠原 尋史
(株)半導体理工学研究センター
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山上 由展
松下電器産業
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山上 由展
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
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五十嵐 元繁
株式会社ルネサステクノロジ
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石橋 孝一郎
(株)ルネサステクノロジ
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新居 浩二
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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塚本 康正
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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塚本 康正
ルネサステクノロジ
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吉澤 知晃
ルネサステクノロジ
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石橋 孝一郎
(株)日立製作所中央研究所
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石橋 孝一郎
ルネサスエレクトロニクス
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薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス:金沢大学
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犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部
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犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ
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今岡 進
ルネサスデザイン
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鈴木 利一
松下電器産業(株)半導体社開発本部半導体先行開発センター
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柴山 晃徳
松下電器産業(株)半導体社開発本部半導体先行開発センター
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鈴木 利一
松下電器産業
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柴山 晃徳
松下電器産業株式会社
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今岡 進
(株)ルネサスデザイン
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石倉 聡
松下電器産業
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山口 泰男
三菱電機(株)ulsi技術開発センター
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山口 泰男
株式会社ルネサステクノロジ
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川島 光
株式会社ルネサステクノロジ
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寺野 登志夫
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
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赤松 寛範
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
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竹内 雅彦
株式会社ルネサステクノロジ
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牧野 博之
株式会社ルネサステクノロジ
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塚本 和宏
株式会社ルネサステクノロジ
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石橋 孝一郎
株式会社ルネサステクノロジ
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薮内 誠
ルネサステクノロジ
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大林 茂樹
ルネサステクノロジ
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篠原 尋史
ルネサステクノロジ
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赤松 寛範
松下電器産業(株)半導体先行開発センター
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赤松 寛範
松下電器産業
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里見 勝治
松下電器産業
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寺野 登志夫
松下電器産業
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寺野登 志夫
松下電器産業
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新井 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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山口 泰男
三菱電機(株)ulsi開発研究所
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里見 勝治
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
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薮内 誠
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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大林 茂樹
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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篠原 尋史
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
-
石橋 孝一郎
ルネサステクノロジ
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増田 康浩
ルネサスデザイン
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五十嵐 元繁
ルネサステクノロジ
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冨田 和朗
ルネサステクノロジ
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坪井 信生
ルネサステクノロジ
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吉澤 知晃
(株)ルネサステクノロジ
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藤原 英弘
神戸大学大学院工学研究科
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森田 泰弘
神戸大学
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川口 博
神戸大学大学院工学研究科
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藤原 英弘
神戸大学
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井口 友輔
神戸大学
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野口 紘希
神戸大学
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吉本 雅彦
神戸大学
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川口 博
神戸大学 工学部 情報知能工学科
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平野 有一
三菱電機(株)
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一法師 隆志
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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平野 有一
(株)ルネサステクノロジ
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前川 繁登
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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大路 譲
株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
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井口 友輔
神戸大学大学院工学研究科
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大芦 敏行
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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車田 総希
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
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粉谷 直樹
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
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大路 譲
株式会社日立製作所半導体事業部
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岩出 秀平
大阪工業大学情報科学部
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岩出 秀平
大阪工業大学情報科学部コンピュータ科学科
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岩出 秀平
大阪工業大学
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平野 有一
株式会社ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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一法師 隆志
株式会社ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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前川 繁登
株式会社ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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平野 有一
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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森田 泰弘
宇宙科学研
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吉本 雅彦
神戸大学システム情報学研究科|独立行政法人科学技術振興機構 Crest
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野口 紘希
神戸大学大学院工学研究科
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大路 譲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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粉谷 直樹
松下電器産業(株)半導体社システムlsi事業本部基盤技術開発センター
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車田 総希
松下電器産業(株)半導体社システムlsi事業本部基盤技術開発センター
-
吉本 雅彦
神戸大学システム情報学研究科:独立行政法人科学技術振興機構 Crest
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森田 泰弘
東京都立多摩総合医療センター外科
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森田 泰弘
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所宇宙航行システム研究系
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前川 繁登
(株)ルネサステクノロジ
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川口 博
神戸大学
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藤原 英弘
ルネサスエレクトロニクス(株)技術開発本部設計基盤開発統括部基盤メモリIP開発部
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島崎 靖久
(株)ルネサステクノロジ
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奥村 俊介
神戸大学
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奥村 俊介
神戸大学大学院工学研究科
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新居 浩二
三菱電機(株)
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浜野 尚徳
三菱電機(株)システムLSI事業統括部
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山岡 雅直
日立製作所・中央研究所
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柳沢 一正
(株)ルネサステクノロジ
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河原 尊之
(株)日立製作所中央研究所
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小田 祐士
(株)シキノハイテック
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石橋 孝一郎
(株)ルネサステクノロジ 製品技術本部設計基盤技術開発部
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古澤 知晃
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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山岡 雅直
株式会社日立製作所中央研究所
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河原 尊之
株式会社日立製作所中央研究所
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前田 徳章
株式会社ルネサステクノロジ
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篠崎 義弘
株式会社日立超LSIシステムズ
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島崎 靖久
株式会社ルネサステクノロジ
-
島田 茂
株式会社ルネサステクノロジ
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柳沢 一正
株式会社ルネサステクノロジ
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新居 浩二
三菱電機(株)システムlsi開発研究所
-
岩出 秀平
三菱電機(株)システムlsi開発研究所
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藪内 誠
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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加藤 圭
Renesas Technology Corp.
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奥村 俊介
神戸大学システム情報学研究科
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山岡 雅直
日立製作所中央研究所
-
山岡 雅直
(株)日立製作所中央研究所
-
新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス
-
前川 考志
ルネサスエレクトロニクス
-
五十嵐 元繁
ルネサスエレクトロニクス
-
塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス
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藤原 英弘
ルネサスエレクトロニクス
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KATO Kei
Renesas Technology Corp.
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藪内 誠
ルネサスエレクトロニクス
著作論文
- ディープサブミクロン世代におけるSRAMのロバスト設計(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- DVS環境下での小面積・低電圧動作8T SRAMの設計(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- ビット線電力を74%削減する動画像処理応用10T非プリチャージ2-portSRAMの設計(アナログ・デジアナ・センサ,通信用LSI)
- 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路
- 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発
- 局所的な閾値電圧ばらつきに対するSRAM安定動作解析手法(新メモリ技術とシステムLSI)
- 高集積・低電力を実現した90nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発(VLSI一般 : ISSCC2004特集)
- 高速・低消費電力化に適したサブ100nm世代における各種SRAMセルのレイアウト比較(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- タイミング自己調整回路を用いた低消費電カデュアルポートSRAMの開発(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- 高速・低消費電力化に適したサブ100nm世代における各種SRAMセルのレイアウト比較
- 書き込みマージンを増加させた低電力SoC向け混載SRAM(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集1 SRAM)
- タイミング自己調整回路を用いた低消費電力デュアルポートSRAMの開発
- 90nmテクノロジにおける携帯機器向け低消費電力LSIに搭載するSRAMのゲートリーク低減方法(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 低電圧動作ゲートアレイ向けSRAMメモリセルの高速化検討
- ボディ電位制御技術を用いた低電圧・高速動作ABC-SOI SRAM
- ボディ電位制御技術を用いた低電圧・高速動作ABC-SOI SRAM(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路
- 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 90nmテクノロジにおける携帯機器向け低消費電力LSIに搭載するSRAMのゲートリーク低減方法(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 動的基板制御による非対称SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)