山上 由展 | 松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
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概要
関連著者
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山上 由展
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
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山上 由展
松下電器産業
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新居 浩二
株式会社ルネサステクノロジ
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新居 浩二
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株式会社ルネサステクノロジ
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(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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牧野 博之
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松下電器産業(株)半導体社開発本部半導体先行開発センター
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松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
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赤松 寛範
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松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
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株式会社ルネサステクノロジ
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株式会社ルネサステクノロジ
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吉澤 知晃
(株)ルネサステクノロジ
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新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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篠原 尋史
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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寺野 登志夫
松下電器産業
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寺野登 志夫
松下電器産業
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篠原 尋史
(株)半導体理工学研究センター
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薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス:金沢大学
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(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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車田 総希
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
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粉谷 直樹
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
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薮内 誠
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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大林 茂樹
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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篠原 尋史
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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粉谷 直樹
松下電器産業(株)半導体社システムlsi事業本部基盤技術開発センター
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車田 総希
松下電器産業(株)半導体社システムlsi事業本部基盤技術開発センター
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今岡 進
ルネサスデザイン
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塚本 康正
ルネサステクノロジ
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古澤 知晃
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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山内 寛行
福岡工業大学 情報工学部
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岩出 秀平
大阪工業大学情報科学部
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岩出 秀平
大阪工業大学情報科学部コンピュータ科学科
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岩出 秀平
大阪工業大学
著作論文
- 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 高速・低消費電力化に適したサブ100nm世代における各種SRAMセルのレイアウト比較(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- タイミング自己調整回路を用いた低消費電カデュアルポートSRAMの開発(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- 高速・低消費電力化に適したサブ100nm世代における各種SRAMセルのレイアウト比較
- リード/ライト同時ディスターブ・アクセスに対して安定なSRAMセル設計手法(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- タイミング自己調整回路を用いた低消費電力デュアルポートSRAMの開発
- 90nmテクノロジにおける携帯機器向け低消費電力LSIに搭載するSRAMのゲートリーク低減方法(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))