プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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概要
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微細化によるランダムばらつき増大によって、SRAMの動作マージンが減少している。これを改善するために、抵抗型リードアシスト回路と階層化ライトアシスト回路を開発した。45nmLSTPテクノロジでセルサイズ0.245μm^2と0.327μm^2の二種類についてこの技術を搭載したSRAM512Kbを試作し、SNMが120mV、Writeマージンが15%改善したことを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-07-10
著者
-
新居 浩二
株式会社ルネサステクノロジ
-
石倉 聡
松下電器産業
-
新居 浩二
ルネサステクノロジー
-
寺野 登志夫
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
-
山上 由展
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
-
里見 勝治
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
-
赤松 寛範
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
-
今岡 進
株式会社ルネサスデザイン
-
薮内 誠
株式会社ルネサステクノロジ
-
塚本 康正
株式会社ルネサステクノロジ
-
大林 茂樹
株式会社ルネサステクノロジ
-
篠原 尋史
株式会社ルネサステクノロジ
-
山上 由展
松下電器産業
-
赤松 寛範
松下電器産業(株)半導体先行開発センター
-
赤松 寛範
松下電器産業
-
里見 勝治
松下電器産業
-
新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
篠原 尋史
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
新居 浩二
ルネサステクノロジ
-
寺野 登志夫
松下電器産業
-
寺野登 志夫
松下電器産業
-
篠原 尋史
(株)半導体理工学研究センター
-
薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス:金沢大学
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