非選択カラムのビット線電荷を有効利用するためのチャージコレクタ回路を搭載した13.8pJ/Access/Mbit SRAM(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

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概要

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• 本論文は、非選択カラムの電荷を有効利用のためのチャージコレクタ回路を有する1Mb SRAMを40nmテクノロジで製作した。このチャージコレクタ回路は、低電圧動作SRAMでの2つの無駄な消費電力を削減する。それは、トランジスタのランダム・バラツキの影響による、ビット線振幅量の増加と、非選択カラムのビット線での無駄なビット線の振幅である。本技術により、世界最小の低消費電力13.8pJ/Access/Mbitを達成した。

• 2013-04-04

著者

• 桜井 貴康

  東京大学

• 川澄 篤

  株式会社東芝

• 篠原 尋史

  株式会社ルネサステクノロジ

• 鈴木 利一

  (株)半導体理工学研究センター

• 山本 安衛

  (株)半導体理工学研究センター

• 森脇 真一

  (株)半導体理工学研究センター

• 篠原 尋史

  (株)半導体理工学研究センター

• 宮野 信治

  (株)半導体理工学研究センター

• 川澄 篤

  (株)東芝

• 桜井 貴康

  東京大学:JST, ERATO

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