スケーリングされたトランジスタに適応した高耐圧オペアンプ設計(デジタル・情報家電, 放送用, ゲーム機用システムLSI, 及び一般)
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概要
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電源電圧範囲を超える(アウトサイド・レール)出力を有する高耐圧オペアンプを設計し、1.8V、0.18μm、標準CMOSプロセスにて3V出力動作の実証に成功した。スケーリングされたトランジスタを用いたアウトサイド・レールオペアンプは、既存設計と同等のSN比と消費電力を維持したまま、実装面積の縮小が可能で、今回実装した3V出力のアウトサイド・レールオペアンプは、0.35μmプロセスを用いた既存設計に対して47%の面積で実装可能との見積り結果を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-01-19
著者
-
石田 光一
東京大学
-
桜井 貴康
東京大学
-
石黒 仁揮
慶應義塾大学 理工学部 電子工学科
-
石黒 仁揮
株式会社東芝soc研究開発センター
-
石黒 仁揮
株式会社東芝 システムlsi事業部
-
桜井 貴康
東京大学国際・産学共同研究センター
-
石田 光一
東京大学国際・産学共同研究センター
-
タマタカーン アティット
東京大学国際・産学共同研究センター
-
桜井 貴康
東京大学工学系研究科生産技術研究所
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