0.14pJ/b誘導結合トランシーバ(新メモリ技術とシステムLSI)
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概要
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0.14pJ/bの積層チップ間誘導結合データトランシーバを開発した.パルス整形回路により送信電流パルス波形を最適化し,送信器の消費エネルギーを0.11pj/bまで削減した.また180nmから90nmへのデバイス微細化により,受信器の消費エネルギーを0.03pj/bまで削減した.伝送速度2Gb/s,BER<10^<-12>を劣化することなく,トランシーバ全体の消費エネルギーを従来の1/20に低減した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-04-05
著者
-
石黒 仁揮
慶應義塾大学理工学研究科
-
桜井 貴康
東京大学
-
石黒 仁揮
慶應義塾大学 理工学部 電子工学科
-
石黒 仁揮
株式会社東芝soc研究開発センター
-
三浦 典之
慶応義塾大学理工学部電子工学科
-
桜井 貴康
東京大学生産技術研究所
-
黒田 忠広
慶応義塾大学理工学部電子工学科
-
桜井 貴康
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
黒田 忠広
慶応義塾大学
-
三浦 典之
慶應義塾大学
-
石黒 仁揮
慶応大 理工
-
石黒 仁揮
慶應義塾大学理工学部電子工学科
-
石黒 仁揮
慶応義塾大学
-
桜井 貴康
東大
-
三浦 典之
慶應義塾大学理工学部電子工学科黒田研究室
-
三浦 典之
慶應義塾大学理工学部電子工学科
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