3次元集積化のための積層チップ間非接触インターフェース(非接触メモリインターフェース,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
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概要
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3次元システム集積化のための積層チップ間インターフェースとして、磁界結合方式を用いた低コスト、小面積、低電力、広帯域の非接触エリア・アレイ・インターフェースの開発を進めている。本方式では近接磁場を用いているため、チャネル間干渉を低く保ったまま、チャネルを高密度にエリア・アレイ状に並べることができる。外部回路が発生するノイズが非接触通信に与える影響、および非接触通信が他の回路に与える影響を評価し、実用に耐えうることを確認した。開発した非接触インターフェースをキャッシュメモリとプロセッサチップの積層システム、およびフラッシュメモリの積層システムに応用してプロトタイプを試作し低電力動作を確認した。
- 2010-04-15
著者
-
黒田 忠広
慶應義塾大学
-
石黒 仁揮
慶應義塾大学理工学研究科
-
石黒 仁揮
慶應義塾大学 理工学部 電子工学科
-
石黒 仁揮
慶應義塾大学理工学部電子工学科
-
黒田 忠広
慶應義塾大学理工学部
-
石黒 仁揮
慶應義塾大学
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