リソグラフィー限界を越えたSi量子細線MOSFETの作製と室温におけるクーロンブロケードの観測
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概要
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Si極微細構造中で現れる単一電子現象を制御できれば、超低消費電力デバイスの構成素子に応用すること、さらには既存のCMOS回路と組み合わせて、より高機能なLSIの実現が可能となる。その際には(i)単一電子素子の室温動作、(ii)既存のLSIプロセスと整合性のある微細構造形成プロセスの確立、(iii)ウェハレベルでの均一性と制御性の向上、が要求される。今回、上記3つの課題の解決を目指し、Si結晶の面方位に依存した異方性エッチングを用いて、Si量子細線構造を形成するプロセスを確立した。この方法を応用して細線MOSFETを作製したところ、室温においてクーロンプロケード振動を観測することに成功した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
-
石黒 仁揮
慶應義塾大学 理工学部 電子工学科
-
藤井 呂如
東京大学生産技術研究所第3部
-
更屋 拓哉
東京大学生産技術研究所
-
橋口 原
新日本製鐵(株)エレクトロニクス研究所
-
生駒 俊明
(株)テキサス・インスツルメンツ筑波研究開発センター
-
石黒 仁揮
東京大学生産技術研究所第3部
-
橋口 原
東京大学生産技術研究所
-
生駒 俊明
T.I.筑波研究開発センター
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