Vth揺らぎを抑制するデルタドープ型MOSFETのスケーリング
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概要
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MOSFET微細化の限界要因の一つと考えられている不純物の統計的揺らぎの影響をデルタドープ型MOSFETについて解析した.不純物揺らぎによる閾値電圧ばらつきはデルタドープ型MOSFETにすることで低減される.閾値電圧ばらつきを各世代で一定に抑制するデルタドープ型MOSFETのスケーリング方法を定量的に示し, 各デバイスパラメータの関係について考察した.デルタドープ型MOSFETの閾値電圧ばらつきは単純にスケールすると世代ごとに増大するが, 高濃度層濃度N2〜K^<1.3>および低濃度層膜厚tl〜K^<-0.4>でスケールするとばらつきを一定に抑制することができる.このスケーリング方法はレトログレードチャネルMOSFETにも適用可能である.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-07-23
著者
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
-
高宮 真
東京大学
-
高宮 真
東京大学生産技術研究所
-
高宮 真
東京大学 生産技術研究所
-
安田 有理
東京大学生産技術研究所, 中央大学理工学研究科
-
安田 有理
東京大学生産技術研究所 中央大学理工学研究科
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