薄膜BOX完全空乏型SOI MOSFETにおけるばらつきの影響

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概要

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• 2006-08-10

著者

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所:mirai-selete

• 杉井 信之

  (株)日立製作所中央研究所

• 杉井 信之

  東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻

• 大藤 徹

  東京大学生産技術研究所

• Hiramoto Toshiro

  The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo

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