増大する微細MOSトランジスタの特性ばらつき : 現状と対策
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概要
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The present status of variability in characteristics of the state-of-the-art MOS transistors is presented. The statistics of threshold voltage of arrayed transistors show the normal distribution. Special emphasis is placed on the analysis of random threshold voltage fluctuations. A new method to compare the amount of random variations in different fabs and different technologies is proposed. Finally, the measures to the variability of scaled CMOS are discussed.
- 社団法人 電気学会の論文
- 2008-06-01
著者
-
西田 彰男
(株)半導体先端技術テクノロジーズ
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
-
竹内 潔
MIRAI-Selete
-
西田 彰男
MIRAI-Selete
-
平本 俊郎
東大
-
竹内 潔
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
-
Hiramoto Toshirou
Device Development Center Hitachi Ltd.
-
Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo
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