竹内 潔 | MIRAI-Selete

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概要

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• MIRAI-Seleteの論文著者

関連著者

• 竹内 潔

  MIRAI-Selete

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所

• 西田 彰男

  MIRAI-Selete

• Hiramoto Toshiro

  The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni

• 蒲原 史朗

  MIRAI-Selete

• 竹内 潔

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• Hiramoto Toshiro

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo

• 西田 彰男

  (株)半導体先端技術テクノロジーズ

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所:mirai-selete

• Hiramoto Toshirou

  Device Development Center Hitachi Ltd.

• 稲葉 聡

  MIRAI-Selete

• 最上 徹

  MIRAI-Selete

• 稲葉 聡

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 平本 俊郎

  東大

• 水谷 朋子

  東京大学生産技術研究所

• KUMAR Anil

  東京大学生産技術研究所

• Hiramoto Toshiro

  Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  The Authors Are With Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:the Author Is With Vlsi

• Hiramoto T

  Univ. Tokyo

• 寺田 和夫

  広島市立大学

• 角村 貴昭

  MIRAI-Selete

• 最上 徹

  Necシリコンシステム研究所

• 角村 貴昭

  (株)半導体先端技術テクノロジーズ

• 最上 徹

  日本電気(株) マイクロエレクトロニクス研究所

• 寺田 和夫

  広島市大学院情報科学研究科

• プトラ アリフィン・タムシル

  東京大学

• 寺田 和夫

  広島市立大学大学院情報科学研究科

• 更屋 拓哉

  東京大学生産技術研究所

• 鈴木 誠

  東京大学生産技術研究所

• 稲葉 聡

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• Putra Arifin

  東京大学生産技術研究所

• 深井 利憲

  MIRAI-Selete

• 平本 俊郎

  MIRAI-Selete

• 川澄 篤

  株式会社東芝

• 川澄 篤

  東芝セミコンダクター社

• 清水 健

  天理よろず相談所病院小児科

• 稲葉 聡

  (株)東芝セミコンダクター社

• 山岡 雅直

  日立製作所・中央研究所

• 清水 健

  埼玉大学大学院理工学研究科

• 三本杉 安弘

  (株)富士通研究所

• 野田 研二

  NSCore

• 三本杉 安弘

  富士通研究所

• 竹内 潔

  日本電気システムデバイス研究所

• 清水 健

  東京大学生産技術研究所

• 清水 健

  埼玉社会保険病院病理

• 山岡 雅直

  日立製作所中央研究所

• 山岡 雅直

  (株)日立製作所中央研究所

• 清水 健

  北海道大学大学院工学研究科

• 清水 健

  千葉大学大学院医学研究院病原分子制御学

• 川澄 篤

  東芝セミコンダクター&ストレージ社半導体研究開発センター先端ワイヤレス・アナログ技術開発部

• 山岡 雅直

  日立製作所 中央研究所

• 竹内 潔

  日本電気

• 平本 俊郎

  東京大学 大規模集積システム設計教育研究センター

• 深井 利憲

  Necエレクトロニクス

• Arifin Tamsir

  東京大学生産技術研究所

• 宋 驍嵬

  東京大学生産技術研究所

• 平本 俊郎

  東京大学

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著作論文

• 依頼講演 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析 (集積回路)
• 微細トランジスタにおける特性ばらつきの現状と将来動向(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 新規格化法を用いた工場/製品/水準間比較によるシリコンMOSFETのランダムしきい値ばらつき評価
• 新規格化法を用いたファブ/テクノロジ/水準間比較によるランダムしきい値ばらつき評価(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 微細MOSデバイスにおけるランダムばらつき(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 1.MOSトランジスタのスケーリングに伴う特性ばらつき(CMOSデバイスの微細化に伴う特性ばらつきの増大とその対策)
• 増大する微細MOSトランジスタの特性ばらつき : 現状と対策
• SRAM : 低電圧化とばらつきへの挑戦(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• SRAM: 低電圧化とばらつきへの挑戦(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 微細トランジスタにおける特性ばらつきの現状と将来動向(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析(デバイス,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析(高信頼技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• C-11-1 微細MOSトランジスタの特性ばらつきの研究(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
• 微細MOSトランジスタの特性ばらつき
• 微細MOSFETの特性ばらつきに関する最近の動向について
• 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析
• DMA SRAM TEGにより解析したSRAMのスタティックノイズマージンにおけるDIBLばらつきの影響(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析
• Takeuchi プロットを用いた High-k/Metal-Gate MOSFET のばらつき評価
• 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析
• Takeuchi プロットを用いた High-k/Metal-Gate MOSFET のばらつき評価

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