清水 健 | 東京大学生産技術研究所
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概要
関連著者
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平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
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清水 健
東京大学生産技術研究所
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Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
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Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo
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平本 俊郎
東京大学生産技術研究所:mirai-selete
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清水 健
天理よろず相談所病院小児科
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清水 健
埼玉大学大学院理工学研究科
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Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
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清水 健
埼玉社会保険病院病理
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清水 健
北海道大学大学院工学研究科
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清水 健
千葉大学大学院医学研究院病原分子制御学
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Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo
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更屋 拓哉
東京大学生産技術研究所
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平本 俊郎
東大
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平本 俊郎
東大生研
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Hiramoto Toshirou
Device Development Center Hitachi Ltd.
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清水 健
東大生研
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更屋 拓哉
東大生研
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Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
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Hiramoto Toshiro
The Authors Are With Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:the Author Is With Vlsi
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西田 彰男
(株)半導体先端技術テクノロジーズ
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竹内 潔
MIRAI-Selete
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西田 彰男
MIRAI-Selete
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蒲原 史朗
MIRAI-Selete
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最上 徹
Necシリコンシステム研究所
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最上 徹
日本電気(株) マイクロエレクトロニクス研究所
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竹内 潔
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
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最上 徹
MIRAI-Selete
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鈴木 誠
東京大学生産技術研究所
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筒井 元
東京大学生産技術研究所
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Hiramoto T
Univ. Tokyo
著作論文
- DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析(高信頼技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 極薄膜SOIトランジスタにおける量子効果による移動度向上(ゲートスタック構造の新展開(I),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Si(110)面正孔移動度における方向依存性の起源 : 極薄SOIを用いた実験的考察(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 膜厚4nm以下の(110)面極薄SOIシングルゲート/ダブルゲートn/p MOSFETにおける一軸引っ張り歪みによる移動度向上(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- SOI膜厚5nmの(100)面極薄nMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ(デバイス,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- SOI膜厚5nmの(100)面極薄nMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ(デバイス, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- (110)面方向pMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ崩壊の実証(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- (110)面方向pMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ崩壊の実証(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- (110)面〈100〉方向pMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ崩壊の実証
- (110)面〈100〉方向pMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ崩壊の実証
- 極薄膜SOIトランジスタにおける量子効果による移動度向上