Si(110)面正孔移動度における方向依存性の起源 : 極薄SOIを用いた実験的考察(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
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概要
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Si(110)面正孔移動度における、方向によって異なる移動度の反転層電荷密度依存性の起源を、共通チャネルを有するデバイス構造を用いて検討した。その結果、Si(110)面<110>方向における高い正孔移動度はこれまで考えられてきた広いサブバンド間のエネルギー差に起因するフォノン散乱の抑制のみではなく、伝導方向有効質量が軽くなるためであることが実験的に明らかとなった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-01-19
著者
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
-
平本 俊郎
東大
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所:mirai-selete
-
清水 健
天理よろず相談所病院小児科
-
更屋 拓哉
東京大学生産技術研究所
-
清水 健
埼玉大学大学院理工学研究科
-
清水 健
東京大学生産技術研究所
-
Hiramoto Toshirou
Device Development Center Hitachi Ltd.
-
Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo
-
清水 健
埼玉社会保険病院病理
-
清水 健
北海道大学大学院工学研究科
-
Hiramoto Toshiro
The Authors Are With Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:the Author Is With Vlsi
-
清水 健
千葉大学大学院医学研究院病原分子制御学
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