低消費電力用完全空乏型SOI MOSFETのスケーリング指針とBulk MOSFETとの比較
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概要
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低消費電力用完全空乏型SOI MOSFETのスケーリング法を開発し, ディープサブ0.1μmへのスケーリングシナリオを示した. これに基づく完全空乏型SOI MOSFETのデバイス構造を提案した. 更に2次元デバイスシミュレーションによりBulk MOSFETとの比較を行った. その結果, 完全空乏型SOI MOSFETはBulk MOSFETとは異なりゲート酸化膜を薄膜化しなくてもSOIのみを薄膜化することにより急峻なS係数の劣化やVthばらつきの増大なしにBulk MOSFETより更に微細化できることを明らかにした. 極微細完全空乏型SOI MOSFETは, 低寄生容量や急峻なS係数等の本来のメリットと微細化のメリットを合わせ持つためLSIの超低消費電力化を実現する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-09-25
著者
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