シリコン単一電子素子における量子効果の評価
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概要
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単一ドットを有する単一電子デバイスとして動作するポイントコンタクト型MOSFETを試作し, 室温においてクーロンブロッケード振動を観測した。また, 低温において量子効果および共鳴トンネルによる微細構造と負の微分コンダクタンスを観測した.これらの結果からドット中の電子状態を算出した.ドットの単一電子充電エネルギーだけでなく, 量子準位間隔も室温の熱エネルギーより大きいことが明らかとなった.この結果は, 将来の極微細MOSFETあるいは単一電子デバイスの設計にあたっては, ドット中の電子状態の正確な把握とモデリングが必須であることを示している.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-04-23
著者
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