しきい値可変CMOS(VTCMOS)における反転層の有限厚さの影響(<特集>先端CMOS及びプロセス関連技術)
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概要
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反転層の有限厚さと、ゲート空乏化の影響で、MOSFETの電流駆動力は劣化してしまう。しかしその一方で、基板バイアス効果はこれら2つの効果の影響で逆に増大する。このことを積極的に利用し、ハイスピードモードしきい値可変CMOS(VTCMOS)を用いて、劣化した電流駆動力を回復するための手法を提案した。長チャネル完全空乏型SOI MOSFETの基板バイアス係数の測定結果を、解析式と比較することによって基板バイアス効果の増大を確認した。2次元デバイスシミュレーションによって、効果的な電流駆動力の回復が実現されていることを確認した。さらに、ゲート酸化膜厚のスケーリングや、短チャネル効果の影響についての検討を行い、適切な膜厚スケーリングを行うことによって本手法が将来的にその有効性を増していくことが明らかになった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-11-22
著者
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
-
南雲 俊治
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
-
南雲 俊治
東京大学生産技術研究所
-
Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
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