微細MOSデバイスにおけるランダムばらつき(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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SISPAD2009において行なった招待講演の内容を紹介する。最初に近年ばらつき(特にチップ内ばらつき)の重要性が増している背景について考察した。続いて筆者らが提案したランダムばらつきを規格化して分析するための手法、およびそれによって得られた知見について詳しく説明した。最後にランダムばらつきを低減するための手法を分類して解説した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-11-05
著者
-
西田 彰男
(株)半導体先端技術テクノロジーズ
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
-
竹内 潔
MIRAI-Selete
-
西田 彰男
MIRAI-Selete
-
平本 俊郎
MIRAI-Selete
-
平本 俊郎
東大
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所:mirai-selete
-
竹内 潔
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
-
Hiramoto Toshirou
Device Development Center Hitachi Ltd.
-
Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
-
Hiramoto T
Univ. Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
The Authors Are With Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:the Author Is With Vlsi
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo
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