低電圧動作0.1ミクロン薄膜SOI MOSFETの試作と特性評価
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概要
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0.1μm薄膜SOI MOSFETの設計・試作を行つた.チャネルイオン注入(BF2)のエネルギーをSOIと埋め込み酸化膜の界面にピークがくるよう設計することによりパンチスルーストッパの形成とチャネルのドープを1回のイオン注入で実現した.この簡便なプロセスにより均一ドープの場合と比較し短チャネル効果が抑制できることをシミュレーションにより示し、ゲート長0.095μmのSOI MOSFETの動作を確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-06-21
著者
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
-
高宮 真
東京大学
-
石黒 仁揮
慶應義塾大学 理工学部 電子工学科
-
更屋 拓哉
東京大学生産技術研究所
-
高宮 真
東京大学生産技術研究所
-
生駒 俊明
(株)テキサス・インスツルメンツ筑波研究開発センタ-
-
生駒 俊明
(株)テキサス・インスツルメンツ筑波研究開発センター
-
デュエト トラン
東京大学生産技術研究所
-
石黒 仁揮
東京大学生産技術研究所第3部
-
田中 剛
(株)テキサス・インスツルメンツ筑波研究開発センター
-
デュエト トラン・ゴック
東京大学生産技術研究所
-
高宮 真
東京大学 生産技術研究所
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