SOI膜厚5nmの(100)面極薄nMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ(デバイス,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))

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概要

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• (100)面極薄SOI MOSFETにおける移動度ユニバーサリティについて実験的に検討を行った。その結果、従来のバルクMOSFETや厚膜SOI MOSFETとは異なり、SOI膜厚が薄くなるにつれてηの値が上昇していくことが初めて実験的に明らかとなった。これらの実験結果は反転層のサブバンド構造を元に記述すると定性的にその傾向が一致する。また、これらの結果は移動度のモデリングで用いられる移動度ユニバーサリティについて、極薄SOI MOSFETにおける知見を与え、モデリングの一助となるものである。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2007-08-16

著者

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所:mirai-selete

• 清水 健

  天理よろず相談所病院小児科

• 清水 健

  埼玉大学大学院理工学研究科

• 清水 健

  東京大学生産技術研究所

• Hiramoto Toshiro

  The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni

• Hiramoto Toshiro

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo

• 清水 健

  埼玉社会保険病院病理

• 清水 健

  北海道大学大学院工学研究科

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo

• 清水 健

  千葉大学大学院医学研究院病原分子制御学

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