1.MOSトランジスタのスケーリングに伴う特性ばらつき(<小特集>CMOSデバイスの微細化に伴う特性ばらつきの増大とその対策)

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概要

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• MOSトランジスタはゲート長が100nm以下にまで微細化され,特性ばらつきの問題が顕在化してきた.設計上同じサイズのトランジスタであっても,製造されたトランジスタごとに特性が異なり,その結果,回路が正常に動作しないなどの現象が引き起こされている.特性ばらつきの原因は多岐にわたっており,定量的には未解明の部分が多い.本稿では,特性ばらつきの現状を紹介するとともに,その原因と対策について最新の動向を紹介する.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2009-06-01

著者

• 西田 彰男

  (株)半導体先端技術テクノロジーズ

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所

• 竹内 潔

  MIRAI-Selete

• 西田 彰男

  MIRAI-Selete

• 平本 俊郎

  東大

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所:mirai-selete

• 竹内 潔

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• Hiramoto Toshirou

  Device Development Center Hitachi Ltd.

• Hiramoto Toshiro

  The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni

• Hiramoto Toshiro

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  The Authors Are With Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:the Author Is With Vlsi

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