シリコンナノワイヤpMOSFET及び室温動作単正孔トランジスタにおける一軸歪みの効果(機能ナノデバイス及び関連技術)
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概要
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NW(nanowire)pFET及びSHT(single-hole transistor)における一軸歪みの効果を報告する。NW pFETにおいては、NW nFETより大きな電流変調効果が観測され、垂直歪みでは引っ張る方向が、水平歪みでは圧縮する方向が有効であった。また、ワイヤの幅が狭くなるほど歪み効果が小さくなるという幅依存性が初めて測定され、原因としては狭いワイヤでの小さい有効質量変調が考えられる。SHTにおいては、歪みによる有効質量変調のためトンネリング確率及びドット内のエネルギーレベル間隔が変化し、結果的にクーロン振動の様子が変化した。また、SHTのクーロン振動終了後には山越え電流成分のため、NW pFETと同様な歪み効果がSHTに現れた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-02-19
著者
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
-
平本 俊郎
東大
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所:mirai-selete
-
更屋 拓哉
東京大学生産技術研究所
-
Hiramoto Toshirou
Device Development Center Hitachi Ltd.
-
Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo
-
鄭 然周
東京大学生産技術研究所
-
Chen Jiezhi
東京大学生産技術研究所
-
Hiramoto Toshiro
The Authors Are With Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:the Author Is With Vlsi
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