デバイスサイドからみたしきい値電圧可変CMOS回路技術
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概要
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しきい値電圧可変CMOS(Variable Threshold Voltage CMOS, VTCMOS)回路技術をデバイス面から検討し, デバイスパラメータの最適化とスケーラビリティについて議論した.最適の基板バイアス定数は, 印加できる基板バイアスの大きさに依存する.このVTCMOSによってスタンバイ電力を大幅に抑制しようとする回路形式は, 微細化が進み電源電圧が下がると破綻する.一方, 低電圧化でのVTCMOSの最大の利点は高速化であり, 他のスタンバイリーク抑制回路との組み合わせは将来の高速低消費電力回路形式として極めて有望である.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-07-27
著者
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
-
Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
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