Device Design of Nanoscale MOSFETs Considering the Suppression of Short Channel Effects and Characteristics Variations(Device,<Special Section>Low-Power, High-Speed LSIs and Related Technologies)
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概要
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The device design of future nanoscale MOSFETs is reviewed. Major challenges in the design of the nanometer MOSFETs and the possible solutions are discussed. In this paper, special emphasis is placed on the combination of new transistor structures that suppress the short channel effect and on back-gate voltage control that suppresses the characteristics variations. Two new device architectures, variable-body-factor FD SOI MOSFET and multigate MOSFET with low aspect ratio, have been proposed and their advantages are discussed.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-04-01
著者
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
-
Hiramoto Toshiro
Univ. Tokyo Tokyo Jpn
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
-
Hiramoto T
Univ. Tokyo
-
NAGUMO Toshiharu
Institute of Industrial Science, University of Tokyo
-
OHTOU Tetsu
Institute of Industrial Science, The University of Tokyo
-
YOKOYAMA Kouki
Institute of Industrial Science, The University of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
The Authors Are With Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:the Author Is With Vlsi
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo:institute Of Industrial Science The Univers
-
Hiramoto Toshiro
Inst. Of Industrial Science And Cinqie University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo
-
Ohtou Tetsu
Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
-
Yokoyama Kouki
Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
-
Nagumo Toshiharu
Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
-
HIRAMOTO Toshiro
Institute Industrial Science, The University of Tokyo
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