2-2 シリコンナノドットを用いたメモリデバイス : 2. ナノエレクトロニクス(<特集>ナノテクノロジーの光とエレクトロニクスへの応用)
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概要
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将来の不揮発性メモリとして注目されているシリコンナノ構造を記憶ノードに利用したメモリデバイスについて,その動作原理と特性を紹介する.現状のフラッシュメモリは書込み回数に制限があるなどの問題があるが,フローティングゲートをシリコンナノドットに置き換えたメモリ構造では,大幅な特性改善が期待できる.また,クーロンブロッケードの利用により,少数の電子数を制御してメモリ動作を行うことも可能となる.これらのメモリは,メモリセルのみにナノ構造を用い,周辺回路は従来のCMOS回路を想定している.ナノデバイスはこのようなハイブリッドの形で徐々にVLSIの中に入ってくるものと考えられる.
- 2002-11-01
著者
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
-
Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
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