極薄SOI pMOSFET中において発現する量子閉じ込め効果によるしきい電圧調整範囲の増大(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
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概要
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本報告では、極薄ボディSOI MOSFET(Ultra Thin Body MOSFET:UTB MOSFET)における基板バイアスによるしきい電圧調整範囲について述べる。今回、UTB pMOSFET中において発現する量子閉じ込め効果によって、しきい電圧調整範囲が増大することをはじめて明らかにした。 SOI厚4.3nmのデバイスにおけるしきい電圧調整範囲はSOI厚11.7nmのデバイスと比較して約10%増加することを実験的に示した。この結果は、 UTB MOSFETは短チャネル効果の抑制のみならず、しきい電圧可変CMOS(VTCMOS)を利用したオフリーク電流の低減に貢献するデバイスであることを示唆するものである。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-08-14
著者
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
-
南雲 俊治
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
-
筒井 元
東京大学生産技術研究所
-
南雲 俊治
東京大学生産技術研究所
-
Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
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