筒井 元 | 東京大学生産技術研究所

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概要

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• 東京大学生産技術研究所の論文著者

関連著者

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所

• 筒井 元

  東京大学生産技術研究所

• Hiramoto Toshiro

  The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni

• 南雲 俊治

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 齋藤 真澄

  東京大学生産技術研究所

• 南雲 俊治

  東京大学生産技術研究所

• 齋藤 真澄

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 齋藤 真澄

  東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• Hiramoto Toshiro

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• 清水 健

  東京大学生産技術研究所

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo

• 平本 俊郎

  東大

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所:mirai-selete

• 清水 健

  天理よろず相談所病院小児科

• 更屋 拓哉

  東京大学生産技術研究所

• 清水 健

  埼玉大学大学院理工学研究科

• Hiramoto Toshirou

  Device Development Center Hitachi Ltd.

• 清水 健

  埼玉社会保険病院病理

• 清水 健

  北海道大学大学院工学研究科

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo

• 清水 健

  千葉大学大学院医学研究院病原分子制御学

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著作論文

• 膜厚5nm以下の(110)面ダブルゲート極薄SOI nMOSFETにおけるボリュームインバージョンによる移動度向上(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• 極薄SOI MOSFETにおけるしきい値電圧のばらつきと移動度の振る舞い(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 極薄SOI MOSFETにおけるしきい値電圧のばらつきと移動度の振る舞い(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 極薄SOI pMOSFET中において発現する量子閉じ込め効果によるしきい電圧調整範囲の増大(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• 極薄SOI pMOSFET中において発現する量子閉じ込め効果によるしきい電圧調整範囲の増大(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• 極薄膜SOIトランジスタにおける量子効果による移動度向上(ゲートスタック構造の新展開(I),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 面方位(110)極薄SOI pMOSFETにおける高移動度の実験的検証(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• 面方位(110)極薄SOI pMOSFETにおける高移動度の実験的検証(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• 極薄膜SOIトランジスタにおける量子効果による移動度向上

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