齋藤 真澄 | (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
齋藤 真澄
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
齋藤 真澄
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
-
齋藤 真澄
東京大学生産技術研究所
-
Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
-
齋藤 真澄
(株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
内田 建
東京工業大学
-
内田 建
東京工業大学電子物理工学専攻:prest化学技術振興機構
-
太田 健介
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
齋藤 真澄
東芝研究開発センター
-
齋藤 真澄
東芝
-
齋藤 真澄
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
-
田中 千加
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
太田 健介
(株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
沼田 敏典
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
筒井 元
東京大学生産技術研究所
-
沼田 敏典
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
小林 茂樹
東芝研究開発センター
-
田中 千加
(株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
内田 建
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
楠 直樹
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
木下 敦寛
東芝研究開発センター
-
内田 建
東芝研究開発センター (株)東芝
-
内田 建
東芝研究開発センター
-
南雲 俊治
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
-
木下 敦寛
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
南雲 俊治
東京大学生産技術研究所
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
高橋 信義
松下電器産業K.K
-
内田 健
東京工業大学
-
後藤 正和
筑波大学電子・物理工学専攻
-
後藤 正和
セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
-
後藤 正和
徳島大学外科
-
稲葉 聡
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
豊島 義明
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
川中 繁
セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
-
豊島 義明
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
犬宮 誠治
(株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター
-
間島 秀明
東京大学 生産技術研究所
-
平本 俊郎
東京大学 大規模集積システム設計教育研究センター
-
後藤 正和
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
川中 繁
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
犬宮 誠治
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
辰村 光介
東芝研究開発センター
-
犬宮 誠治
東芝
-
辰村 光介
研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー株式会社東芝
-
犬飼 貴士
東京大学生産技術研究所
-
後藤 正和
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
-
王 海寧
東京大学 生産技術研究所
-
後明 寛之
東京大学 生産技術研究所
-
齋藤 真澄
東京大学 生産技術研究所
-
永田 英次
東京大学生産技術研究所
-
中林 幸雄
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
中林 幸雄
(株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所:mirai-selete
-
石黒 仁揮
慶應義塾大学 理工学部 電子工学科
-
安武 信昭
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
内田 建
東京工業大学大学院 理工学研究科電子物理工学専攻
-
外園 明
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
青木 伸俊
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
張 利
(株)東芝研究開発センター
-
青木 伸俊
マイクロエレクトロニクス研
-
更屋 拓哉
東京大学生産技術研究所
-
水島 一郎
株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
水島 一郎
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
水島 一郎
東芝セミコンダクター社
-
古賀 淳二
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
水島 一郎
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
青木 伸俊
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
張 利
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
小池 三夫
(株)東芝
-
安武 信昭
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo
-
間島 秀明
東京大学生庭技術研究所
-
王 海寧
東京大学生産技術研究所
-
後明 寛之
東京大学生産技術研究所
-
犬飼 貴士
東京大学 生産技術研究所
-
石黒 仁揮
K.K東芝
-
高橋 信義
東京大学 生産技術研究所
-
外園 明
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
小池 三夫
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
竹野 史郎
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
小林 茂樹
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
竹野 史郎
(株)東芝研究開発センター環境技術研究所
-
水島 一郎
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
-
原田 英浩
東京大学生産技術研究所
-
高橋 信義
東京大学生産技術研究所
-
原田 英浩
東京大学生産技術研究所:中央大学大学院理工学研究科
-
平本 俊郎
東京大学 生産技術研究所:東京大学 大規模集積システム設計教育研究センター
-
小林 茂樹
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
著作論文
- 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とT_スケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とT_スケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 走査型拡がり抵抗顕微鏡(SSRM)を用いたソース・ドレインにおける高分解能イメージング及び高精度プロービング解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 膜厚5nm以下の(110)面ダブルゲート極薄SOI nMOSFETにおけるボリュームインバージョンによる移動度向上(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 極薄SOI MOSFETにおけるしきい値電圧のばらつきと移動度の振る舞い(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 極薄SOI MOSFETにおけるしきい値電圧のばらつきと移動度の振る舞い(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- シリコン(110)面pMOSFETにおける反転層容量と低電界移動度特性(ゲートスタック構造の新展開(I),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- シリコン微結晶を用いたメモリデバイスにおけるドットサイズとサイズのばらつきの影響評価とポテンシャル分布
- シリコン微結晶を用いたメモリデバイスにおけるドットサイズとサイズのばらつきの影響評価とポテンシャル分布
- 異方性エッチングにより作製したシリコン単電子トランジスタの室温動作 (マイクロマシン特集号)
- High-κゲート絶縁膜を有するp-MOSFETにおけるドレイン電流の変動 : ゲート絶縁膜中トラップによる単一正孔の捕獲・放出の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- High-κゲート絶縁膜を有するp-MOSFETにおけるドレイン電流の変動 : ゲート絶縁膜中トラップによる単一正孔の捕獲・放出の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 10nm以下の極薄膜ダブルゲートSOI p-FETにおける高移動度の実証 : 軽い正孔バンドの役割と一軸性応力エンジニアリングとの整合性(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 面方位(110)極薄SOI pMOSFETにおける高移動度の実験的検証(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 面方位(110)極薄SOI pMOSFETにおける高移動度の実験的検証(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 集積シリコン単電子トランジスタ回路を用いた電流スイッチング及びアナログパターンマッチングの室温実証(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 極微細シリコンドットにおける量子力学的効果を用いた高機能単電子トランジスタ論理の室温実証(量子効果デバイス及び関連技術)
- 極微細シリコンドットにおける量子力学的効果を用いた高機能単電子トランジスタ論理の室温実証(量子効果デバイス及び関連技術)
- 極狭細線チャネルを有するシリコン微結晶MOSFETメモリ
- 極狭細線チャネルを有するシリコン微結晶MOSFETメモリ
- 減圧CVDで形成したゲート酸化膜を有するシリコン単電子トランジスタの伝導特性
- 減圧CVDで形成したゲート酸化膜を有するシリコン単電子トランジスタの伝導特性
- シリコン(100)及び(110)面上CMOSFETのひずみによる高電界キャリア速度変調
- 歪み技術による (100) および (110) トランジスタの性能向上戦略
- High-k及びSiO_2ゲート絶縁膜を有するMOSFETにおける低電界移動度と高電界キャリア速度の関係(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- High-k 及びSiO_2ゲート絶縁膜を有するMOSFETにおける低電界移動度と高電界キャリア速度の関係
- トライゲートナノワイヤMOSFETの短チャネル移動度解析とStress Memorization Technique (SMT)による性能向上(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 10nm径トライゲートナノワイヤMOSFETにおける高電界輸送特性向上と薄BOXによる閾値調整 (シリコン材料・デバイス)
- 10nm径トライゲートナノワイヤMOSFETにおける高電界輸送特性向上と薄BOXによる閾値調整 (集積回路)
- トライゲートナノワイヤMOSFETにおける自己発熱効果の系統的理解(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 直径10nmのシリコンナノワイヤを備えた超低消費電力LSI用トランジスタ
- 10nm径トライゲートナノワイヤMOSFETにおける高電界輸送特性向上と薄BOXによる閾値調整(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 10nm径トライゲートナノワイヤMOSFETにおける高電界輸送特性向上と薄BOXによる閾値調整(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 10nm径トライゲートナノワイヤMOSFETにおける高電界輸送特性向上と薄BOXによる閾値調整