沼田 敏典 | (株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

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• 齋藤 真澄

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• 太田 健介

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• 齋藤 真澄

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• 田中 千加

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• 内田 建

  東京工業大学

• 内田 建

  東京工業大学電子物理工学専攻:prest化学技術振興機構

• 中林 幸雄

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• 内田 健

  東京工業大学

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著作論文

• シリコン(100)及び(110)面上CMOSFETのひずみによる高電界キャリア速度変調
• トライゲートナノワイヤMOSFETの短チャネル移動度解析とStress Memorization Technique (SMT)による性能向上(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• トライゲートナノワイヤMOSFETにおける自己発熱効果の系統的理解(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 10nm径トライゲートナノワイヤMOSFETにおける高電界輸送特性向上と薄BOXによる閾値調整(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 10nm径トライゲートナノワイヤMOSFETにおける高電界輸送特性向上と薄BOXによる閾値調整

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