中林 幸雄 | (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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概要
関連著者
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中林 幸雄
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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沼田 敏典
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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太田 健介
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阿部 孝夫
信越半導体(株)半導体研究所
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和田 一実
マサチューセッツ工科大
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信越半導体
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慶應義塾大学理工学研究科
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松本 智
慶應義塾大学
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阿部 孝夫
信越半導体
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内田 建
東京工業大学
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室田 淳一
東北大学 電気通信研究所
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ヒルマン イルワン
慶應義塾大学
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オスマン ヒルマン
慶應義塾大学
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内田 建
東京工業大学電子物理工学専攻:prest化学技術振興機構
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中林 幸雄
慶應義塾大学
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豊永 一成
慶應義塾大学
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横田 香織
慶應義塾大学
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沼田 敏典
(株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
著作論文
- 高純度単一同位体Siのエピタキシャル成長と自己拡散への応用
- トライゲートナノワイヤMOSFETの短チャネル移動度解析とStress Memorization Technique (SMT)による性能向上(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- トライゲートナノワイヤMOSFETにおける自己発熱効果の系統的理解(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- トライゲートナノワイヤMOSFETにおける自己発熱効果の系統的理解