沼田 敏典 | (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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概要
関連著者
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沼田 敏典
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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齋藤 真澄
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
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太田 健介
(株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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太田 健介
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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田中 千加
(株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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齋藤 真澄
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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沼田 敏典
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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田中 千加
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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東京工業大学
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高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
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高木 信一
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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内田 建
東京工業大学
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高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
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沼田 敏典
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
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内田 建
東京工業大学電子物理工学専攻:prest化学技術振興機構
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中林 幸雄
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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中林 幸雄
(株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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大脇 幸人
(株)東芝 ULSI研究所
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野口 充宏
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
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大脇 幸人
(株)東芝soc研究開発センター
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大脇 幸人
(株)東芝 セミコンダクター社
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野口 充宏
(株)東芝 セミコンダクター社
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沼田 敏典
(株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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内田 建
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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古賀 淳二
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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大場 竜二
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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古賀 淳二
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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大場 竜二
東芝研究開発センター
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内田 建
東芝研究開発センター (株)東芝
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古賀 淳二
東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所
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古賀 淳二
東芝
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大場 竜二
(株)東芝セミコンダクター社
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大場 竜二
東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所
著作論文
- 量子閉じ込め効果が薄膜SOI MOSFETの電気特性に与える影響について
- 完全空乏型SOI MOSFETにおけるSOI膜厚変動によるしきい値ばらつきの抑制構造
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- トライゲートナノワイヤMOSFETの短チャネル移動度解析とStress Memorization Technique (SMT)による性能向上(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- トライゲートナノワイヤMOSFETにおける自己発熱効果の系統的理解(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- トライゲートナノワイヤMOSFETにおける自己発熱効果の系統的理解
- 10nm径トライゲートナノワイヤMOSFETにおける高電界輸送特性向上と薄BOXによる閾値調整(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 10nm径トライゲートナノワイヤMOSFETにおける高電界輸送特性向上と薄BOXによる閾値調整(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 高性能・低消費電力Siナノワイヤトランジスタ技術
- 10nm径トライゲートナノワイヤMOSFETにおける高電界輸送特性向上と薄BOXによる閾値調整
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