古賀 淳二 | 東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所

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概要

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関連著者

• 古賀 淳二

  東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 古賀 淳二

  東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所

• 古賀 淳二

  東芝

• 高木 信一

  東京大学大学院 工学系研究科

• 高木 信一

  半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)

• 大場 竜二

  東芝研究開発センター

• 内田 建

  東芝研究開発センター (株)東芝

• 大場 竜二

  (株)東芝セミコンダクター社

• 大場 竜二

  東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所

• 沼田 敏典

  半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)

• 臼田 宏治

  半導体MIRAI-ASET

• 手塚 勉

  半導体MIRAI-ASET

• 杉山 直治

  半導体MIRAI-ASET

• 杉山 直治

  MIRAI-ASET

• 古賀 淳二

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 鳥海 明

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 高木 信一

  半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター

• 沼田 敏典

  半導体MIRAIプロジェクト超先端電子技術開発機構(ASET)

• 古賀 淳二

  半導体MIRAI-ASET

• 内田 建

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 大場 竜二

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 平下 紀夫

  半導体MIRAI-ASET

• 田邊 顕人

  半導体MIRAI-ASET

• 高木 信一

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 高木 信一

  東大 大学院工学系研究科

• 入沢 寿史

  半導体MIRAI-ASET

• 守山 佳彦

  半導体MIRAI-ASET

• 豊田 英二

  東芝セラミックス株式会社

• 水野 智久

  MIRAI-AIST

• 宮村 佳児

  コマツ電子金属

• 水野 智久

  半導体MIRAIプロジェクト

• 古賀 淳二

  東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 藤田 忍

  東芝研究開発センター

• 高木 信一

  東京大学

• 棚本 哲史

  (株)東芝研究開発センター

• 安田 心一

  東芝研究開発センター

• 内田 建

  東京工業大学電子物理工学専攻:prest化学技術振興機構

• 藤田 忍

  (株)東芝研究開発センター

• 中払 周

  半導体MIRAI-ASET

• 高木 信一

  MIRAI-産総研ASRC

• 前田 辰郎

  半導体MIRAI産業技術総合研究所次世代半導体研究センター

• 手塚 勉

  MIRAI-ASET

• 平下 紀夫

  MIRAI-ASET

• 入沢 寿史

  MIRAI-ASET

• 沼田 敏典

  MIRAI-ASET

• 臼田 宏治

  MIRAI-ASET

• 古賀 淳二

  MIRAI-ASET

• 田邊 顕人

  MIRAI-ASET

• 沼田 敏典

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 前田 辰郎

  産業技術総合研究所

• 杉山 直治

  芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 安田 心一

  (株)東芝研究開発センター

• 内田 建

  (株)束芝LSI基盤技術ラボラトリー

• 棚本 哲史

  (株)束芝LSI基盤技術ラボラトリー

• 古賀 淳二

  (株)束芝LSI基盤技術ラボラトリー

• 大場 竜二

  (株)束芝LSI基盤技術ラボラトリー

• 安田 心一

  (株)束芝LSI基盤技術ラボラトリー

• 藤田 忍

  (株)束芝LSI基盤技術ラボラトリー

• 杉山 直治

  東芝研究開発センターLSI基盤技術研究所

• 内田 健

  東芝研究開発センターLSI基盤技術研究所

• 藤田 忍

  (株)東芝

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著作論文

• 高性能・微細ひずみSOI-MOSFET
• 高性能・部分空乏型および完全空乏型ひずみSOI-MOSFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 高性能・部分空乏型および完全空乏型ひずみSOI-MOSFET
• ひずみSOI MOSFETのチャネル構造設計と作製技術(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• 微細CMOSスケーリングにおけるチャネル高移動度化の重要性 : Si/SiGe系ヘテロ構造による高移動度MOSFET
• 量子閉じ込め効果が薄膜SOI MOSFETの電気特性に与える影響について
• シリコン表面のセルフ・アンジュレーションを利用したサブミクロン単一電子素子
• サブバンド構造変調を利用した高性能超薄膜SOI-MOSFET (特集:ナノ領域の先端研究--21世紀のキー技術を求めて)
• SiMOS反転層モビリティにおけるクーロン散乱および表面ラフネス散乱の電子濃度依存性
• SC-9-6 トンネル効果を利用したシリコン機能デバイス
• シリコンを使った新しい素子をめざして (特集:Siナノデバイス)
• [招待講演]シリコン単電子素子とその応用
• [招待講演]シリコン単電子素子とその応用
• 微細CMOSスケーリングにおけるチャネル高移動度化の重要性 : Si/SiGe系ヘテロ構造による高移動度MOSFET
• 二重Si量子ドットメモリにおける量子ドット径の微小化と不揮発性の実証
• 0.7nmの極薄膜SOIトランジスタ技術 (特集 イノベーションを支えるナノエレクトロニクス)
• シリコン表面のセルフ・アンジュレーションを利用したサブミクロン単一電子素子
• 超低消費電力LSIを実現する単一電子デバイス (特集1 ナノテクノロジー--幅広い分野をけん引する次世代材料デバイス技術)
• ショットキーソース/ドレインMOSFETにおけるソースサイドホットエレクトロン生成効率の向上
• CMOS結合型単一電子素子の研究開発 (特集 量子化機能素子プロジェクト)

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