鳥海 明 | (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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概要
関連著者
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鳥海 明
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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古賀 淳二
東芝
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高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
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古賀 淳二
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
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古賀 淳二
東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所
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古賀 淳二
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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高木 信一
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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大場 竜二
東芝研究開発センター
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大場 竜二
(株)東芝セミコンダクター社
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大場 竜二
東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所
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佐竹 秀喜
半導体MIRAIプロジェクト-ASET
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内田 建
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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大場 竜二
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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佐竹 秀喜
(株)東芝先端半導体デバイス研究所
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内田 建
東芝研究開発センター (株)東芝
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佐竹 秀喜
(株)東芝 研究開発センター Lsi基盤技術ラボラトリー
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鳥海 明
半導体mirai-産総研asrc:東京大学工学部マテリアル工学科
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鳥海 明
東京大学
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村岡 浩一
(株)東芝研究開発センター
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國島 巌
(株)東芝セミコンダクター社
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安田 直樹
半導体MIRAI-ASET
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高木 信一
東芝ULSI研究所
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安田 直樹
東芝ULSI研究所
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鳥海 明
東芝ULSI研究所
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高木 信一
東芝ulsi研
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早坂 伸夫
(株)東芝 UL研
著作論文
- シリコン表面のセルフ・アンジュレーションを利用したサブミクロン単一電子素子
- サブバンド構造変調を利用した高性能超薄膜SOI-MOSFET (特集:ナノ領域の先端研究--21世紀のキー技術を求めて)
- SiMOS反転層モビリティにおけるクーロン散乱および表面ラフネス散乱の電子濃度依存性
- SC-9-6 トンネル効果を利用したシリコン機能デバイス
- シリコンを使った新しい素子をめざして (特集:Siナノデバイス)
- 三端子シリコン表面接合トンネル素子
- シリコン酸化膜の絶縁破壊に対する電子と正孔の共存の必要性実証
- ストレスリーク電流における非弾性トンネリングの実験的検証
- 28a-K-3 無水HFガスによるin-situ自然酸化膜エッチング機構
- 絶縁破壊後の抵抗値統計分布に着目した薄いシリコン酸化膜の絶縁破壊機構の考察
- 薄いシリコン酸化膜の信頼性劣化機構に関する考察
- シリコン表面のセルフ・アンジュレーションを利用したサブミクロン単一電子素子