佐竹 秀喜 | 半導体MIRAIプロジェクト-ASET
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
佐竹 秀喜
半導体MIRAIプロジェクト-ASET
-
鳥海 明
半導体mirai-産総研asrc:東京大学工学部マテリアル工学科
-
鳥海 明
東京大学
-
生田目 俊秀
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(独)物質・材料研究機構
-
太田 裕之
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
-
岩本 邦彦
半導体MIRAI-ASET
-
小川 有人
半導体MIRAI-ASET
-
生田目 俊秀
半導体MIRAI-ASET
-
太田 裕之
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
-
高橋 正志
半導体mirai-aset
-
鳥海 明
半導体MIRAI-産総研ASRC
-
門島 勝
半導体MIRAIプロジェクト-ASET
-
鳥海 明
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
佐竹 秀喜
(株)東芝先端半導体デバイス研究所
-
佐竹 秀喜
(株)東芝 研究開発センター Lsi基盤技術ラボラトリー
-
鳥海 明
半導体MIRAI-産総研,東大工
-
三瀬 信行
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)日立製作所中央研究所
-
藤原 英明
Mirai-aset
-
水林 亘
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
-
安田 直樹
半導体MIRAI-ASET
-
門島 勝
MIRAI-ASET
-
小川 有人
MIRAI-ASET
-
高橋 正志
MIRAI-ASET
-
太田 裕之
MIRAI-産総研ASRC
-
三瀬 信行
MIRAI-ASET
-
岩本 邦彦
MIRAI-ASET
-
右田 真司
MIRAI-産総研ASRC
-
佐竹 秀喜
MIRAI-ASET
-
生田目 俊秀
MIRAI-ASET
-
鳥海 明
MIRAI-産総研ASRC
-
右田 真司
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
-
右田 真司
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
水林 亘
半導体MIRAI-産総研ASRC
-
太田 裕之
半導体MIRAI-産総研ASRC
-
水林 亘
産業技術総合研究所
-
右田 真司
産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
-
右田 真司
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
-
水林 亘
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
-
岡田 健治
半導体MIRAI-ASET
-
鳥海 明
東京大学大学院
-
堀川 剛
半導体MIRAI-産総研ASRC
-
高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
-
高木 信一
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
-
鳥海 明
東京大学大学院工学系研究科
-
Okada K
Yamaguchi Univ. Yamaguchi Jpn
-
岡田 健治
松下電器産業(株)
著作論文
- 高誘電体ゲート絶縁膜/Si基板界面改質によるトランジスタ特性と絶縁膜長期信頼性の改善
- Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のAl濃度変調及びパーシャルシリサイドゲート電極によるCMOS非対称閾値の改善(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- キャリア分離法を用いた high-k stack ゲート絶縁膜のキャリア伝導及び絶縁性劣化機構の解析
- シリコン酸化膜の絶縁破壊に対する電子と正孔の共存の必要性実証
- Poly-SiゲートHigh-k MIS構造における非飽和型C-V特性の起源(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 還元雰囲気下でのゲート電極形成プロセスによるHfO_2膜の初期絶縁破壊(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のAl濃度変調及びパーシャルシリサイドゲート電極によるCMOS非対称閾値の改善(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 絶縁破壊後の抵抗値統計分布に着目した薄いシリコン酸化膜の絶縁破壊機構の考察
- 薄いシリコン酸化膜の信頼性劣化機構に関する考察