絶縁破壊後の抵抗値統計分布に着目した薄いシリコン酸化膜の絶縁破壊機構の考察
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概要
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Fowler-Nordheim (F-N)ストレス印加でのシリコン酸化膜の絶縁破壊機構を、シリコン酸化膜が絶縁破壊を起こした後の抵抗値分布に着目して議論する。F-Nストレスを印加する極性を変えた場合の絶縁破壊後の抵抗値(R_<bd>)に注目して解析した結果、完全破壊が起きている場合には、ゲート正極性の場合のR_<bd>はゲート負極性の場合に比べて明瞭に小さくなること、ストレスを印加する電流密度を大きくすると、ゲートの極性に依らずにR_<bd>が小さくなることがわかった。さらにゲート極性やストレス印加電流密度に依らずに、絶縁破壊が起きた時に放出されるエネルギによって、R_<bd>が統一的に記述できることが明らかになった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-03-10
著者
-
佐竹 秀喜
半導体MIRAIプロジェクト-ASET
-
鳥海 明
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
鳥海 明
半導体mirai-産総研asrc:東京大学工学部マテリアル工学科
-
佐竹 秀喜
(株)東芝先端半導体デバイス研究所
-
鳥海 明
東京大学
-
佐竹 秀喜
(株)東芝 研究開発センター Lsi基盤技術ラボラトリー
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