薄いシリコン酸化膜の信頼性劣化機構に関する考察
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概要
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Fowler-Nordheim(F-N)ストレス印加での、薄いシリコン酸化膜(SiO_2)の絶縁破壊機構とストレス誘起電流(Stress-induced Leakage Current, SILC)生成の起源に関して議論する。ここでは、薄いSiO_2の絶縁破壊との密接な関係が予想される正孔生成の起源、正孔やSILC生成のしきい値エネルギ、および、絶縁破壊に至るまでの膜中通過総電子量(Qbd)や総正孔量(Qp)の温度依存性から得られる活性化エネルギの値を基礎にして構築した、SiO_2の絶縁破壊やSILC生成に関するモデルを紹介する。さらに、EEPROMをはじめとする不揮発性メモリで特に深刻な問題となっている、絶縁破壊のストレス極性依存性の起源に関しても言及する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-02-19
著者
-
佐竹 秀喜
半導体MIRAIプロジェクト-ASET
-
鳥海 明
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
鳥海 明
半導体mirai-産総研asrc:東京大学工学部マテリアル工学科
-
佐竹 秀喜
(株)東芝先端半導体デバイス研究所
-
鳥海 明
東京大学
-
佐竹 秀喜
(株)東芝 研究開発センター Lsi基盤技術ラボラトリー
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