YをドープしたHfO_2の相変化による誘電率の上昇

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概要

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• 2005-06-03

著者

• 鳥海 明

  東京大学大学院

• 喜多 浩之

  東京大学

• 鳥海 明

  東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻

• 鳥海 明

  半導体mirai-産総研asrc:東京大学工学部マテリアル工学科

• 喜多 浩之

  東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻

• 弓野 健太郎

  東京大学大学院工学系研究科材料学専攻

• 鳥海 明

  東京大学

• 弓野 健太郎

  東京大学工学部

• 喜多 浩之

  東京大学大学院工学系研究科 化学システム工学専攻

• 弓野 健太郎

  東京大学大学院工学系研究科

• 弓野 健太郎

  東京大学

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