弓野 健太郎 | 東京大学大学院工学系研究科材料学専攻

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概要

• 同名の論文著者
• 東京大学大学院工学系研究科材料学専攻の論文著者

関連著者

• 鳥海 明

  東京大学大学院

• 喜多 浩之

  東京大学

• 喜多 浩之

  東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻

• 弓野 健太郎

  東京大学大学院工学系研究科材料学専攻

• 鳥海 明

  東京大学

• 喜多 浩之

  東京大学大学院工学系研究科 化学システム工学専攻

• 弓野 健太郎

  東京大学大学院工学系研究科

• 鳥海 明

  東京大学大学院工学系研究科

• 鳥海 明

  東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻

• 遠藤 康浩

  東京大学工学部マテリアル工学科

• 菰田 泰生

  東京大学大学院工学系研究科材料学専攻

• 鳥海 明

  半導体mirai-産総研asrc:東京大学工学部マテリアル工学科

• 入江 宏

  東京大学大学院工学系研究科

• 弓野 健太郎

  東京大学工学部

• 弓野 健太郎

  東京大学

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著作論文

• ペンタセンTFTの移動度の電界依存性(表示記録用有機材料およびデバイス)
• ペンタセンTFTの移動度の電界依存性
• ペンタセンTFTの移動度の電界依存性
• YをドープしたHfO_2の相変化による誘電率の上昇
• Si(100), (110), (111)面上のn及びp型反転層における一軸応力下の移動度の面内異方性とユニバーサリティー(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

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