ペンタセンTFTの移動度の電界依存性
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概要
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ペンタセン薄膜を真空蒸着法で作製し、結晶の構造的な特性をX線回折(XRD)と原子間力顕微鏡(AFM)で調べた。またPentacene薄膜トランジスターのキャリア輸送を電界依存移動度の観点から調べた。XRDの結果から熱処理によって大幅に結晶性が向上したことが確認されたが、AFMと電気特性測定の結果から変化は見られなかった。これらのことから基板の表面状態や薄膜成長の初期段階の制御が重要であるといえる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-02-28
著者
-
鳥海 明
東京大学大学院
-
喜多 浩之
東京大学
-
喜多 浩之
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
-
遠藤 康浩
東京大学工学部マテリアル工学科
-
菰田 泰生
東京大学大学院工学系研究科材料学専攻
-
弓野 健太郎
東京大学大学院工学系研究科材料学専攻
-
鳥海 明
東京大学
-
鳥海 明
東京大学大学院工学系研究科
-
喜多 浩之
東京大学大学院工学系研究科 化学システム工学専攻
-
弓野 健太郎
東京大学大学院工学系研究科
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