GeO_2/Ge界面制御によるGe-nMOSFETsの電子移動度の向上 : Siユニバーサルカーブを超える移動度特性の実証(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
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概要
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Geの電子移動度はバルク中でSiを超えることが知られながら、MOSFETにおいてはSiを超える特性は報告されておらず、その起源も明確にされていない。今回は熱力学、速度論的にGeO_2/Ge界面を制御することにより、ピーク値で1100cm^2/Vs、且つSiのュニバーサルカーブを大幅に超える移動度特性を示すnMOSFETの動作に成功した。更にこの素子においても未だ外因的散乱源によって特性が律速されている可能性が高く、大幅な特性向上の余地を期待させる。まさに今Ge CMOS実現への可能性が大きく開かれたといえる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-01-22
著者
-
鳥海 明
東京大学大学院
-
喜多 浩之
東京大学
-
西村 知紀
東京大学
-
鳥海 明
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
-
喜多 浩之
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
-
李 忠賢
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
-
西村 知紀
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
-
長汐 晃輔
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
-
長汐 晃輔
東京大学
-
鳥海 明
東京大学
-
鳥海 明
東京大学大学院工学系研究科
-
喜多 浩之
東京大学大学院工学系研究科 化学システム工学専攻
-
李 忠賢
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻:jst-crest
-
長汐 晃輔
東京大学大学院マテリアル工学専攻
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